低频低介电损耗的AgTa共掺二氧化钛基介电陶瓷材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种低频低介电损耗的AgTa共掺二氧化钛基介电陶瓷材料及其制备方法，该陶瓷材料的通式为(Ag1/4Ta3/4)xTi1‑xO2，其中x表示摩尔分数，x的取值为0.005～0.01。本发明陶瓷材料的制备方法简单、重复性好、成品率高，通过在Ta单掺的二氧化钛基陶瓷材料中引入金属元素Ag，使陶瓷材料在频率为40～106Hz范围内具有高介电常数(＞104)、低介电损耗(＜0.14)，尤其是显著降低了陶瓷材料的低频介电损耗，在40～103Hz频率范围内介电损耗始终保持在0.07以下，同时具有优异的频率及温度稳定性，保持在‑15％～15％之间，符合陶瓷电容器的参数要求，具有巨大的应用价值。