降低钽电容器被膜工序ESR的工艺方法

摘要

本发明属于电容器制造技术领域，尤其是降低钽电容器被膜工序ESR的工艺方法，通过浸渍、脱水、分解、补形成、再浸渍、再脱水、再分解和后续处理等步骤完成对钽芯子的处理，通过对工艺参数的调控，促进分解过程的进行，有效的改善了钽电容器的有效串联电阻；并且再分解过程中，通过控制含氧量，有效的防止了溶液飞溅造成钽丝脏的现象。

说明书

技术领域

本发明属于电容器制造技术领域，尤其是降低钽电容器被膜工序ESR的工艺方法。

背景技术

随着使用线路的复杂性增加，在实际的使用线路中有些线路要求模压片式固体电解质钽电容器要有很小的有效串联电阻(以下简称ESR)，特别是在滤波电路中，线路对片式钽电容器的ESR的要求更高；为了迎合市场需求，满足客户的使用条件，降低片式固体钽电容器的ESR是势在必行的，降低被膜工序二氧化锰层的之间的接触电阻，也是降低片式固体钽电容器ESR中的方法之一。

发明内容

本发明旨在降低被膜工序二氧化锰层与层之间的接触电阻，特别提高是硝酸锰溶液跨度较大的两种溶液之间二氧化锰层之间的紧密结合性。

具体是通过以下技术方案得以实现的：

一种降低钽电容器被膜工序ESR的工艺方法，包括以下步骤：

(1)浸渍：将钽芯子浸渍在硝酸锰溶液A中，浸渍时间为8～12min，浸渍温度为(55±5)℃；

(2)脱水：在温度为(125±20℃)的烘箱内脱水；

(3)分解：在温度为270±20℃，含氧量为(7±3)％的被膜炉内进行分解；

(4)补形成：在2U_额的条件下处理5～10min：

(5)再浸渍：在硝酸锰溶液B中，浸渍时间为8～12min，浸渍温度为(55±5)℃；

(6)再脱水：在温度为(125±20℃)的烘箱内脱水；

(7)再分解：在温度为(85±20)℃，氧含量为(12±3)％的被膜炉内进行分解；

(8)后续处理：将步骤(7)所得钽芯子进行石墨银浆处理即可。

所述硝酸锰溶液A的浓度为1.1±0.2g/cm³。

所述硝酸锰溶液B的浓度为1.3±0.2g/cm³。

所述步骤(1)～步骤(3)的过程重复4次。

所述步骤(5)～步骤(7)的过程重复3次。

本发明有益效果：

本发明通过浸渍、脱水、分解、补形成、再浸渍、再脱水、再分解和后续处理等步骤完成对钽芯子的处理，通过对工艺参数的调控，促进分解过程的进行，有效的改善了钽电容器的有效串联电阻；并且再分解过程中，通过控制含氧量，有效的防止了溶液飞溅造成钽丝脏的现象。

效果验证：抽取Y规格的形成结束后的钽芯子2架，分为I、II 2组，I组为采用本发明方案对钽芯子进行处理，II组采用传统工艺对钽芯子进行处理，两组采用同一台被膜炉进行被膜，分别将各组被膜后的钽芯子进行石墨银浆，每组随机抽取10只钽芯子进行电参数比较，结果如下表：

表1容量参数对比

表2损耗参数对比

表3漏电流参数对比

表4ESR参数对比

从表1、表2、表3、表4中可看出I组钽芯子在石墨银浆结束后在ESR参数上有了明显的降低，其它容量、损耗、漏电参数和II组无明显差异。

具体实施方式

下面结合具体的实施方式来对本发明的技术方案做进一步的限定，但要求保护的范围不仅局限于所作的描述。

实施例1

一种降低钽电容器被膜工序ESR的工艺方法，包括以下步骤：

(1)浸渍：将钽芯子浸渍在硝酸锰溶液A中，浸渍时间为8min，浸渍温度为50℃；

(2)脱水：在温度为105℃的烘箱内脱水；

(3)分解：在温度为250℃，含氧量为4％的被膜炉内进行分解；

(4)补形成：在2U_额的条件下处理5min：

(5)再浸渍：在硝酸锰溶液B中，浸渍时间为8min，浸渍温度为50℃；

(6)再脱水：在温度为105℃的烘箱内脱水；

(7)再分解：在温度为65℃，氧含量为9％的被膜炉内进行分解；

(8)后续处理：将步骤(7)所得钽芯子进行石墨银浆处理即可。

所述硝酸锰溶液A的浓度为0.9g/cm³。

所述硝酸锰溶液B的浓度为1.2g/cm³。

所述步骤(1)～步骤(3)的过程重复4次。

所述步骤(5)～步骤(7)的过程重复3次。

实施例2

一种降低钽电容器被膜工序ESR的工艺方法，包括以下步骤：

(1)浸渍：将钽芯子浸渍在硝酸锰溶液A中，浸渍时间为12min，浸渍温度为60℃；

(2)脱水：在温度为145℃的烘箱内脱水；

(3)分解：在温度为290℃，含氧量为10％的被膜炉内进行分解；

(4)补形成：在2U_额的条件下处理10min：

(5)再浸渍：在硝酸锰溶液B中，浸渍时间为12min，浸渍温度为60℃；

(6)再脱水：在温度为145℃的烘箱内脱水；

(7)再分解：在温度为105℃，氧含量为15％的被膜炉内进行分解；

(8)后续处理：将步骤(7)所得钽芯子进行石墨银浆处理即可。

所述硝酸锰溶液A的浓度为1.3g/cm³。

所述硝酸锰溶液B的浓度为1.4g/cm³。

所述步骤(1)～步骤(3)的过程重复4次。

所述步骤(5)～步骤(7)的过程重复3次。

实施例3

一种降低钽电容器被膜工序ESR的工艺方法，包括以下步骤：

(1)浸渍：将钽芯子浸渍在硝酸锰溶液A中，浸渍时间为10min，浸渍温度为55℃；

(2)脱水：在温度为125的烘箱内脱水；

(3)分解：在温度为270℃，含氧量为7％的被膜炉内进行分解；

(4)补形成：在2U_额的条件下处理10min：

(5)再浸渍：在硝酸锰溶液B中，浸渍时间为10min，浸渍温度为55℃；

(6)再脱水：在温度为125的烘箱内脱水；

(7)再分解：在温度为85℃，氧含量为12％的被膜炉内进行分解；

(8)后续处理：将步骤(7)所得钽芯子进行石墨银浆处理即可。

所述硝酸锰溶液A的浓度为1.1g/cm³。

所述硝酸锰溶液B的浓度为1.3g/cm³。

所述步骤(1)～步骤(3)的过程重复4次。

所述步骤(5)～步骤(7)的过程重复3次。

在此有必要指出的是，以上实施例和试验例仅限于对本发明的技术方案做进一步的阐述和理解，不能理解为对本发明的技术方案做进一步的限定，本领域技术人员作出的非突出实质性特征和显著进步的发明创造，仍然属于本发明的保护范畴。