硼‑11同位素在集成电路的半导体掺杂中的应用及方法

摘要

本发明公开了一种硼‑11同位素在集成电路的半导体掺杂中的应用，是将只含硼‑11同位素的硼化合物作为离子源电离物质，利用离子注入机将离子源电离物质进行离子化后将离子从混合离子束中分离出来，离子经离子注入机的加速管加速获取速度和能量，离子束通过扫描轰击硅片实现硼离子注入，最终制得集成电路芯片发生单电子效应的概率相对采用硼‑10和硼‑11同位素进行半导体掺杂所制得到的集成电路芯片发生单电子效应的概率降低了71～92％。本发明的应用能够有效的提高集成电路芯片抗辐射、抗单粒子效应的能力，具有很好地应用前景。