具备超低顺向电压的晶粒尺寸封装二极管元件及制造方法

摘要

本发明公开了一种具有具备超低顺向电压的晶粒尺寸封装二极管元件及其制造方法，该二极管元件是直接利用第二电极以外的全部区域作为第一电极，及/或采用穿孔贯穿第一电极的正背面并导通后，经切割后即可形成一体积更小的晶粒尺寸封装二极管元件成品；由于本发明中的第一电极无须通过磊晶层或扩散层作导通，因此能避开内阻而降低顺向电压，并具备简化制程、提升质量、降低成本、以及让二极管元件更轻薄短小等诸多优点。