一种3D NAND闪存结构中硅外延生长的工艺

摘要

本发明提供一种3D NAND闪存结构中硅外延生长的工艺，包括沉积衬底堆叠结构；刻蚀衬底堆叠结构以形成沟道和衬底表面的硅槽；清洗所述沟道和硅槽；高温退火处理；硅外延生长预清洗；硅外延生长。通过高温退火处理，对刻蚀造成破坏的硅槽表面进行氧化，从而消除了沟道底部硅槽中的聚合物残留，同时也能够对遭到破坏的后续硅外延生长的表面产生一定的氧化修复作用，消除界面破坏和晶格缺陷；在高温退火处理之前增加湿法清洗的步骤，能够获得后续更好的氧化退火和界面修复的效果；本发明的工艺能够有效的对深沟道进行刻蚀，并避免氧化物的残留以及刻蚀破坏界面层的产生，从而提高硅外延生长高度的均匀性，并避免硅外延生长的空隙，提高3D NAND闪存整体性能。