用于形成具有高可靠性的功率半导体的钝化层的方法

摘要

根据本公开的一方面，一种用于形成功率半导体的钝化层的方法，包括在等离子体沉积腔室中在功率半导体器件的金属布线的上部等离子体化学气相沉积比率为400±3％sccm:100±3％sccm:3800±3％sccm的SiH4:NH3:N2气体，以形成具有高折射率的氮化硅膜。