使用半色调曝光法的液晶显示装置的制造法

摘要

本发明是以3次光微影工艺制造超大型广视野角超高速响应液晶显示装置。本发明于使用半色调曝光技术与氮离子掺杂技术形成栅极电极、共用电极、像素电极及接触焊垫后，使用半色调曝光技术形成a-硅(Si)孤岛与接触孔。并使用普通曝光技术形成源极电极、漏极电极与配向控制电极。钝化层使用遮蔽沉积(masking deposition)法，而以P-CVD装置成膜，或使用喷墨涂布法，通过在局部区域涂布保护层，以3次光微影工艺制造超大型广视野角超高速响应液晶显示用TFT阵列基板。