一种浸没式光刻机和一种浸液流场中气泡去除方法

摘要

本发明公开了一种浸没式光刻机，所述硅片台上位于所述硅片外围设有至少一组对所述浸液流场形成装置执行抽排动作的抽排机构，本发明所述浸没式光刻机在硅片台上设置独立的除气泡区域，一方面，可提供较大的抽排面积以及抽排负压，提高了抽排效率，另一方面，可避免对硅片台上其它机构的不利影响，如改变硅片的温度以及使硅片产生变形等；本发明还公开了一种浸液流场中气泡去除方法，将上述抽排机构移动至所述浸液流场的下方进行除气泡，完成后，将所述抽排机构移出所述浸液流场，克服了由于浸液流场中存在气泡造成曝光缺陷的缺点，提高了曝光质量。