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化合物、树脂、光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜、图案形成方法以及化合物或树脂的纯化方法

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一种如下述式(1)所示的化合物。(式(1)中，R

著录项

公开/公告号CN107531597A

专利类型发明专利
公开/公告日2018-01-02

原文格式PDF
申请/专利权人三菱瓦斯化学株式会社;
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申请/专利号CN201680025648.1
发明设计人堀内淳矢;越后雅敏;牧野嶋高史;
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申请日2016-03-02
分类号
代理机构北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人刘新宇
地址日本东京都
入库时间 2023-06-19 04:10:53

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-01-26

实质审查的生效 IPC(主分类):C07C39/15 申请日:20160302

实质审查的生效
2018-01-02

公开

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1. 化合物、树脂、光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜、抗蚀图案形成方法、电路图案形成方法和化合物或树脂的纯化方法 [P] . 中国专利： CN107250089A . 2017-10-13
2. 化合物、树脂、光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜及抗蚀图案形成方法、电路图案形成方法、及纯化方法 [P] . 中国专利： CN107848983A . 2018-03-27
3. Compound, resin, lower layer film forming material for lithography, composition for forming a lower layer film for lithography, lower layer film for lithography, pattern forming method, and purification method of compound or resin [P] . 韩国专利： KR20170128287A . 2017-11-22

机译：化合物，树脂，用于光刻的下层膜形成材料，用于形成光刻的下层膜的组合物，用于光刻的下层膜，图案形成方法以及化合物或树脂的纯化方法
4. Compound, resin, lower layer film forming material for lithography, composition for forming lower layer film for lithography, lower layer film for lithography, pattern forming method, and method for purifying compound or resin [P] . 日本专利： JPWO2016147989A1 . 2017-04-27

机译：化合物，树脂，用于光刻的下层膜形成材料，用于形成光刻的下层膜的组合物，用于光刻的下层膜，图案形成方法，以及用于纯化化合物或树脂的方法
5. Compound, resin, lower layer film forming material for lithography, composition for forming lower layer film for lithography, lower layer film for lithography, pattern forming method, and method for purifying compound or resin [P] . 日本专利： JP6028959B1 . 2016-11-24

机译：化合物，树脂，用于光刻的下层膜形成材料，用于形成光刻的下层膜的组合物，用于光刻的下层膜，图案形成方法，以及用于纯化化合物或树脂的方法