微晶玻璃化学机械抛光方法及微晶玻璃

摘要

本发明公开了一种微晶玻璃化学机械抛光方法及微晶玻璃，该方法包括：(1)采用SUBA系列抛光垫和氧化铈抛光液对微晶玻璃进行粗抛光，以便得到粗抛光后微晶玻璃；(2)采用IC系列软抛光垫和硅溶胶碱性抛光液对粗抛光后微晶玻璃进行精抛光，以便得到精抛光后微晶玻璃；(3)采用碱性清洗液对精抛光后微晶玻璃进行兆声清洗，以便得到兆声清洗后微晶玻璃；(4)采用去离子水对兆声清洗后微晶玻璃进行超声清洗，以便得到超声清洗后微晶玻璃；(5)对超声清洗后微晶玻璃进行干燥处理，以便得到抛光后微晶玻璃。采用该方法可以显著提高抛光效率，并且可以加工出粗糙度为亚纳米级别的超光滑玻璃表面。

说明书

技术领域

本发明属于玻璃抛光领域，具体而言，本发明涉及微晶玻璃化学机械抛光方法及微晶玻璃。

背景技术

传统的玻璃抛光工艺，即用金刚石散粒磨料在铸铁盘上分工序对基片进行机械研磨达到一定的面形和厚度公差，然后采用古典抛光法或传统的两级抛光法进行抛光。古典抛光法为在抛光沥青盘上用氧化铈和氧化铁进行抛光，最终达到一定的面形精度和表面粗糙度，该方法工作繁琐且人为因素占主导，抛光的效率不高，且所得的抛光表面的粗糙度一般都在纳米量级；传统的两级抛光方法为：一级抛光用硬抛光垫，选择常用的合成革或者聚氨酯抛光垫；二级抛光用软抛光垫，也采用应用非常广泛的无纺布或者绒毛抛光垫。该方法因采用常规的无纺布或者绒毛抛光垫，在抛光过程中抛光垫会有碎屑掉落，容易对样品划伤或造成其他缺陷，且抛光时间较长，一般在一小时以上，去除速率慢，加工效率低。

因此，现有玻璃抛光的工艺有待进一步改进。

发明内容

本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出一种微晶玻璃化学机械抛光方法及微晶玻璃。采用该方法可以显著提高抛光效率，并且可以加工出粗糙度为亚纳米级别的超光滑玻璃表面。

在本发明的一个方面，本发明提出了一种微晶玻璃化学机械抛光方法，根据本发明的实施例，该方法包括：

(1)采用SUBA系列抛光垫和氧化铈抛光液对微晶玻璃进行粗抛光，以便得到粗抛光后微晶玻璃；

(2)采用IC系列软抛光垫和硅溶胶碱性抛光液对所述粗抛光后微晶玻璃进行精抛光，以便得到精抛光后微晶玻璃；

(3)采用碱性清洗液对所述精抛光后微晶玻璃进行兆声清洗，以便得到兆声清洗后微晶玻璃；

(4)采用去离子水对所述兆声清洗后微晶玻璃进行超声清洗，以便得到超声清洗后微晶玻璃；

(5)对所述超声清洗后微晶玻璃进行干燥处理，以便得到抛光后微晶玻璃。

根据本发明实施例的微晶玻璃化学机械抛光方法通过采用SUBA系列抛光垫和氧化铈抛光液组合进行粗抛光，然后采用IC系列软抛光垫和硅溶胶碱性抛光液组合进行精抛光，其中精抛光过程中的IC系列软抛光垫因其独特的垂直取向空隙结构，可使其在压缩时瞬间恢复，同时可以增加硅溶胶碱性抛光液的流动能力，进而可以获得光滑的玻璃表面。由此，采用该方法既可提高抛光的效率，同时还可获得粗糙度为亚纳米级别的超光滑玻璃表面。

另外，根据本发明上述实施例的微晶玻璃化学机械抛光方法还可以具有如下附加的技术特征：

在本发明的一些实施例中，在步骤(1)中，所述SUBA系列抛光垫的邵氏硬度为60-80。由此，有利于提高抛光后微晶玻璃的品质。

在本发明的一些实施例中，在步骤(1)中，所述氧化铈抛光液的粒度为0.4～1.0微米，浓度为5～15wt％，优选的，粒度为0.7微米，浓度为10wt％。由此，可进一步提高抛光后微晶玻璃的品质。

在本发明的一些实施例中，在步骤(1)中，所述氧化铈抛光液的流量为50-500ml/min。由此，可进一步提高抛光后微晶玻璃的品质。

在本发明的一些实施例中，在步骤(1)中，所述粗抛光的压力为0.5-10psi，时间为20-40min。由此，可进一步提高抛光后微晶玻璃的品质。

在本发明的一些实施例中，在步骤(1)中，所述粗抛光中抛光头和抛光盘的转速分别独立的为10-100r/min。由此，可进一步提高抛光后微晶玻璃的品质。

在本发明的一些实施例中，在步骤(2)中，所述硅溶胶碱性抛光液的粒度为35-45纳米。由此，可进一步提高抛光后微晶玻璃的品质。

在本发明的一些实施例中，在步骤(2)中，所述硅溶胶碱性抛光液的流量为50-500ml/min。由此，可进一步提高抛光后微晶玻璃的品质。

在本发明的一些实施例中，在步骤(2)中，所述精抛光的压力为0.5-10psi，时间为5-30min。由此，可进一步提高抛光后微晶玻璃的品质。

在本发明的一些实施例中，在步骤(2)中，所述精抛光中抛光头和抛光盘的转速分别独立的为10-100r/min。由此，可进一步提高抛光后微晶玻璃的品质。

在本发明的一些实施例中，在步骤(3)中，所述碱性清洗液为pH为9.0-10.0天津晶的FA/O清洗液。由此，可进一步提高抛光后微晶玻璃的品质。

在本发明的一些实施例中，在步骤(3)中，所述碱性清洗液的浓度为2-10wt％。由此，可进一步提高抛光后微晶玻璃的品质。

在本发明的一些实施例中，在步骤(3)中，所述兆声清洗中兆声波的功率为100-600W，时间为500-1000s。由此，可进一步提高抛光后微晶玻璃的品质。

在本发明的一些实施例中，在步骤(4)中，所述超声清洗中超声波的功率为100-600W，时间为500-1000s。由此，可进一步提高抛光后微晶玻璃的品质。

在本发明的一些实施例中，在步骤(5)中，所述干燥处理为高温氮气干燥处理。由此，可进一步提高抛光后微晶玻璃的品质。

在本发明的一些实施例中，在步骤(5)中，所述干燥处理的温度为60-90摄氏度，时间为500-1000s。由此，可进一步提高抛光后微晶玻璃的品质。

在本发明的再一个方面，本发明提出了一种微晶玻璃，根据本发明的实施例，所述微晶玻璃是采用上述微晶玻璃化学机械抛光方法处理得到的。由此，可得到表面粗糙度为亚纳米级别的微晶玻璃，满足微晶玻璃表面加工要求。

本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1是根据本发明一个实施例的微晶玻璃化学机械抛光方法的流程示意图。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

在本发明的一个方面，本发明提出了一种微晶玻璃化学机械抛光方法，根据本发明的实施例，参考图1，该方法包括：

S100：采用SUBA系列抛光垫和氧化铈抛光液对微晶玻璃进行粗抛光

该步骤中，采用SUBA系列抛光垫和氧化铈抛光液对微晶玻璃进行粗抛光，以便得到粗抛光后微晶玻璃。具体的，使用机械泵对氧化铈抛光液进行不断搅拌，防止其沉淀，搭配SUBA系列抛光垫对微晶玻璃进行抛光，其中，氧化铈抛光液可循环使用。发明人发现，微晶玻璃在采用SUBA系列抛光垫和氧化铈抛光液粗抛光后目测粗抛光后微晶玻璃的表面已经光滑，损伤层已去除，无明显缺陷。氧化铈磨料硬度低，能达到“软抛硬”的效果，在被抛光材料表面不易产生划痕，采用SUBA系列抛光垫和氧化铈抛光液对微晶玻璃进行粗抛光时，氧化铈磨料不仅对微晶玻璃表面有机械磨削的作用，而且还能与微晶玻璃表面发生络合反应，从而能较快的在微晶玻璃表面形成钝化膜，使其更易去除。

根据本发明的一个实施例，SUBA系列抛光垫的邵氏硬度并不受特别限制，本领域的技术人员可以根据实际需要进行选择，根据本发明的一个具体实施例，SUBA系列抛光垫的邵氏硬度可以为60-80。由此，有利于提高粗抛光的效率，进而有利于提高抛光后微晶玻璃的品质。发明人发现，SUBA系列抛光垫的邵氏硬度数值越大则SUBA系列抛光垫越硬，邵氏硬度的大小直接影响微晶玻璃的去除量和表面质量。当SUBA系列抛光垫的邵氏硬度增加时，微晶玻璃表面的材料去除量增加，同时其表面划伤的深度和表面粗糙度也增大，且当压力较大时，可能带来更严重的表面损伤。需要说明的是，SUBA系列抛光垫的具体邵氏硬度应综合考虑被抛光材料的硬度和抛光垫的硬度。

根据本发明的再一个实施例，氧化铈抛光液的粒度和浓度并不受特别限制，本领域的技术人员可以根据实际需要进行选择，根据本发明的一个具体实施例，氧化铈抛光液的粒度可以为0.4～1.0微米，浓度可以为5～15wt％，优选的，粒度为0.7微米，浓度为10wt％。由此，可进一步提高粗抛光的效率，同时可进一步提高抛光后微晶玻璃的品质。发明人发现，在粗抛光过程中，氧化铈抛光液的粒度是影响微晶玻璃表面抛光效果的重要因素，粒径较大的氧化铈颗粒容易造成微晶玻璃表面损伤，进而影响表面质量，同时氧化铈抛光液浓度的高低也会直接影响微晶玻璃表面的去除速率和表面质量，当氧化铈抛光液的浓度达到一定程度时，抛光液的流动性会受到影响，质量传递受到阻碍，进而抛光速率也会受到影响。

根据本发明的又一个实施例，氧化铈抛光液的流量并不受特别限制，本领域的技术人员可以根据实际需要进行选择，根据本发明的一个具体实施例，氧化铈抛光液的流量可以为50-500mL/min。由此，可进一步提高粗抛光的效率，同时可进一步提高抛光后微晶玻璃的品质。发明人发现，若氧化铈抛光液的流量过低，则抛光液中的有效磨料成分降低，对微晶玻璃的去除速率和表面质量有影响，随着氧化铈抛光液流量的增加，其在抛光垫上的流动性增强，单位时间内在抛光过程中的有效磨料和化学成分增加，反应产物能够迅速的脱离微晶玻璃表面，从而使抛光速率增加。但若氧化铈抛光液的流量过高，抛光液还未来得及与微晶玻璃发生反应就流走，抛光液与微晶玻璃的化学机械作用不能得到有效发挥，造成氧化铈抛光液的浪费。

根据本发明的又一个实施例，粗抛光的条件并不受特别限制，本领域的技术人员可以根据实际需要进行选择，根据本发明的一个具体实施例，粗抛光的压力可以为0.5-10psi，时间可以为20-40min。由此，可进一步提高粗抛光的效率，同时可进一步提高抛光后微晶玻璃的品质。发明人发现，实验证明粗抛光的压力与微晶玻璃表面的去除速率基本呈线性关系，压力越大去除速率越快。具体的，随着粗抛光压力的增加，微晶玻璃表面与抛光垫之间的摩擦力增大，两者之间的机械作用增强，同时微晶玻璃表面与氧化铈之间的络合反应容易克服反应势能垒，加快反应的进行，但压力过大容易对微晶玻璃表面造成损伤，使得氧化铈抛光液不能及时进入微晶玻璃与抛光垫之间。

根据本发明的又一个实施例，粗抛光中抛光头和抛光盘的转速并不受特别限制，本领域的技术人员可以根据实际需要进行选择，根据本发明的一个具体实施例，粗抛光中抛光头和抛光盘的转速可以分别独立的为10-100r/min。由此，可进一步提高粗抛光的效率，同时可进一步提高抛光后微晶玻璃的品质。发明人发现，粗抛光中抛光头和抛光盘的转速的高低对微晶玻璃表面的去除速率影响较小，随着抛光头或抛光盘转速的增加，氧化铈抛光液中的分子动能增大，活化分子数增多，质量传递加快，反应速率加快，同时也加快了反应产物的输运。

S200：采用IC系列软抛光垫和硅溶胶碱性抛光液对粗抛光后微晶玻璃进行精抛光

该步骤中，采用IC系列软抛光垫(具体为陶氏化学PolitexTMReg抛光垫)和硅溶胶碱性抛光液对粗抛光后微晶玻璃进行精抛光，以便得到精抛光后微晶玻璃。具体的，硅溶胶碱性抛光液对微晶玻璃的去除率很低，抛光液中的化学物质与微晶玻璃发生化学反应，生成可溶性的大分子胺盐，利用较小的机械力和磨料的质量传递作用即可去除反应物，搭配使用PolitexTMReg抛光垫，可改善微晶玻璃的表面质量，当抛光垫受到压力时抛光液会进入空洞中，而在压力释放时抛光垫会恢复到原来的形状，将旧的抛光液和反应物排出，并补充新的抛光液。

根据本发明的一个实施例，硅溶胶碱性抛光液的粒度并不受特别限制，本领域的技术人员可以根据实际需要进行选择，根据本发明的一个具体实施例，硅溶胶碱性抛光液的粒度可以为35-45纳米。由此，有利于提高精抛光的效率，同时可进一步提高抛光后微晶玻璃的品质。发明人发现，在精抛光过程中，硅溶胶碱性抛光液的粒度是影响粗抛光后微晶玻璃表面抛光效果的重要因素，粒径较大的硅溶胶颗粒容易造成粗抛光后微晶玻璃表面损伤，进而影响其表面质量。

根据本发明的再一个实施例，硅溶胶碱性抛光液的流量并不受特别限制，本领域的技术人员可以根据实际需要进行选择，根据本发明的一个具体实施例，硅溶胶碱性抛光液的流量可以为50-500mL/min。由此，可进一步提高精抛光的效率，同时可进一步提高抛光后微晶玻璃的品质。发明人发现，若硅溶胶碱性抛光液的流量过低，则抛光液中的有效磨料成分降低，对粗抛光后微晶玻璃的去除速率和表面质量有影响，随着硅溶胶碱性抛光液流量的增加，其在抛光垫上的流动性增强，单位时间内在抛光过程中的有效磨料和化学成分增加，反应产物能够迅速的脱离微晶玻璃表面，从而使抛光速率增加。但若硅溶胶碱性抛光液的流量过高，抛光液还未来得及与粗抛光后微晶玻璃发生反应就流走，抛光液与粗抛光后微晶玻璃的化学机械作用不能得到有效发挥，造成硅溶胶碱性抛光液的浪费。

根据本发明的又一个实施例，精抛光的条件并不受特别限制，本领域的技术人员可以根据实际需要进行选择，根据本发明的一个具体实施例，精抛光的压力可以为0.5-10psi，时间可以为5-30min。由此，可进一步提高精抛光的效率，同时可进一步提高抛光后微晶玻璃的品质。发明人发现，实验证明精抛光的压力与粗抛光后微晶玻璃表面的去除速率基本呈线性关系，压力越大去除速率越快。具体的，随着精抛光压力的增加，粗抛光后微晶玻璃表面与抛光垫之间的摩擦力增大，两者之间的机械作用增强，同时粗抛光后微晶玻璃表面与硅溶胶碱性抛光液之间的络合反应容易克服反应势能垒，加快反应的进行，但压力过大容易对粗抛光后微晶玻璃表面造成损伤，使得硅溶胶碱性抛光液不能及时进入粗抛光后微晶玻璃与抛光垫之间。

根据本发明的又一个实施例，精抛光中抛光头和抛光盘的转速并不受特别限制，本领域的技术人员可以根据实际需要进行选择，根据本发明的一个具体实施例，精抛光中抛光头和抛光盘的转速可以分别独立的为10-100r/min。由此，可进一步提高精抛光的抛光效率，同时可进一步提高抛光后微晶玻璃的品质。发明人发现，精抛光中抛光头和抛光盘的转速的高低对粗抛光后微晶玻璃表面的去除速率影响较小，随着抛光头或抛光盘转速的增加，硅溶胶碱性抛光液中的分子动能增大，活化分子数增多，质量传递加快，反应速率加快，同时也加快了反应产物的输运。

S300：采用碱性清洗液对精抛光后微晶玻璃进行兆声清洗

该步骤中，采用碱性清洗液对精抛光后微晶玻璃进行兆声清洗，以便得到兆声清洗后微晶玻璃。具体的，在常温下，将精抛光后微晶玻璃至于碱性清洗液中，在兆声波的作用下对精抛光后微晶玻璃进行清洗。由此，可除去精抛光后微晶玻璃中的残留物。

根据本发明的一个实施例，碱性清洗液的具体类型并不受特别限制，本领域的技术人员可以根据实际需要进行选择，根据本发明的一个具体实施例，碱性清洗液可以为天津晶岭电子材料科技有限公司提供的FA/O清洗液，pH为9.0-10.0。由此，可进一步提高抛光后微晶玻璃的品质。

根据本发明的再一个实施例，碱性清洗液的浓度并不受特别限制，本领域的技术人员可以根据实际需要进行选择，根据本发明的一个具体实施例，碱性清洗液的浓度可以为2-10wt％。由此，可进一步提高兆声清洗的效率，同时可进一步提高抛光后微晶玻璃的品质。发明人发现，若碱性清洗液的浓度过低，则起不到清洗的效果，而若碱性清洗液的浓度过高，则容易对精抛光后微晶玻璃表面产生轻微腐蚀，影响其表面质量，且碱性清洗液的浓度高不易漂洗。

根据本发明的又一个实施例，兆声清洗的条件并不受特别限制，本领域的技术人员可以根据实际需要进行选择，根据本发明的一个具体实施例，兆声清洗中兆声波的功率可以为100-600W，时间可以为500-1000s。由此，可进一步提高兆声清洗的效率，同时可进一步提高抛光后微晶玻璃的品质。发明人发现，兆声波清洗的机理是由高能频振效应并结合化学清洗剂与工件的化学反应实现对工件的清洗，它不仅保存了超声波清洗的优点，而且克服了它的不足，不会产生超声波清洗那样的气泡，同时可以以高速的流体连续冲击工件表面，使表面附着的污染物的细小微粒被强制除去并进入到清洗液中。

S400：采用去离子水对兆声清洗后微晶玻璃进行超声清洗

该步骤中，采用去离子水对兆声清洗后微晶玻璃进行超声清洗，以便得到超声清洗后微晶玻璃。由此，可进一步除去兆声清洗后微晶玻璃中的残留物。

根据本发明的一个实施例，超声清洗的条件并不受特别限制，本领域的技术人员可以根据实际需要进行选择，根据本发明的一个具体实施例，超声清洗中超声波的功率可以为100-600W，时间可以为500-1000s。由此，可显著提高超声清洗的效率，同时可进一步提高抛光后微晶玻璃的品质。发明人发现，超声波的功率对超声波清洗效率影响很大，且清洗效果不一定完全与超声波功率和清洗时间成正比，当超声波的功率达到一定值，可以很快将工件的污垢去除；而若功率过大，空化强度将大大增加，在清洗效果提高的同时会对工件表面产生蚀点，同时也会减少超声清洗机的寿命。

S500：对超声清洗后微晶玻璃进行干燥处理

该步骤中，对超声清洗后微晶玻璃进行干燥处理，以便得到抛光后微晶玻璃。由此，可得到粗糙度为亚纳米级别的超光滑玻璃表面。

根据本发明的一个实施例，干燥处理的具体方式并不受特别限制，本领域的技术人员可以根据实际需要进行选择，根据本发明的一个具体实施例，干燥处理为高温氮气干燥处理。由此，可进一步提高抛光后微晶玻璃的品质。发明人发现，采用高温氮气吹扫工件表面，能使工件表面的水分子迅速脱离表面。

根据本发明的再一个实施例，干燥处理的条件并不受特别限制，本领域的技术人员可以根据实际需要进行选择，根据本发明的一个具体实施例，干燥处理的温度可以为60-90摄氏度，时间可以为500-1000s。由此，可显著提高干燥处理的效率，从而进一步提高抛光后微晶玻璃的品质。发明人发现，若干燥处理的温度过低，工件表面的水分子不能及时脱离工件表面，会吸附在工件表面，不易去除；而若干燥处理的温度过高，时间过短，则会在工件的边角上产生花纹。

根据本发明实施例的微晶玻璃化学机械抛光方法通过采用SUBA系列抛光垫和氧化铈抛光液组合进行粗抛光，然后采用IC系列软抛光垫和硅溶胶碱性抛光液组合进行精抛光，其中精抛光过程中的IC系列软抛光垫因其独特的垂直取向空隙结构，可使其在压缩时瞬间恢复，同时可以增加硅溶胶碱性抛光液的流动能力，进而可以获得光滑的玻璃表面。由此，采用该方法既可提高抛光的效率，同时还可获得粗糙度为亚纳米级别的超光滑玻璃表面。

在本发明的再一个方面，本发明提出了一种微晶玻璃，根据本发明的实施例，微晶玻璃是采用上述微晶玻璃化学机械抛光方法处理得到的。由此，可得到表面粗糙度为亚纳米级别的微晶玻璃，满足微晶玻璃表面加工要求。需要说明的是，上述针对微晶玻璃化学机械抛光方法所描述的特征和优点同样适用于该微晶玻璃，此处不再赘述。

下面参考具体实施例，对本发明进行描述，需要说明的是，这些实施例仅仅是描述性的，而不以任何方式限制本发明。

实施例

抛光6个微晶玻璃样品，采用夹具夹持在抛光头上，微晶玻璃样品的半径均为15mm，抛光前采用ZYGO光学表面轮廓仪测量微晶玻璃表面的粗糙度，均分别独立的为0.747μm，扫描范围为50*70μm。

粗抛光采用粒径为0.7um的氧化铈抛光液，浓度为10wt％，使用机械泵对其进行不断搅拌，防止沉淀，搭配邵氏硬度为78的SUBA600抛光垫进行粗抛光，控制粗抛光的压力为2psi，抛光头的转速为87rpm，抛光盘的转速为93rpm，控制氧化铈抛光液的流量为100ml/min，且氧化铈抛光液循环使用，抛光30min，然后采用称重法测试去除量，计算去除速率分别为66.92μm/h、66.08μm/h、64.92μm/h、68.25μm/h、65.73μm/h、65.83μm/h，目测观察粗抛光后微晶玻璃的表面已经光滑，损伤层已去除，无明显缺陷。

精抛光采用粒径为40nm的天津晶岭电子材料科技有限公司提供的FA/O硅溶胶精抛液，pH为9.0-10.0)，搭配陶氏化学Politex^TMReg抛光垫进行精抛光，控制精抛光的压力为1psi，抛光头的转速为87rpm，抛光盘的转速为93rpm，控制FA/O硅溶胶精抛液的流量为150ml/min，且硅溶胶碱性抛光液不循环使用，抛光10min，然后采用称重法测试去除量，计算去除速率为6.07μm/h、5.99μm/h、5.97μm/h、5.78μm/h、5.87μm/h、5.82μm/h。

在常温下，将精抛光后微晶玻璃至于浓度为2wt％的碱性清洗液中，在功率为300瓦的兆声波的作用下对精抛光后微晶玻璃进行清洗，清洗900s，得到兆声清洗后微晶玻璃。然后采用去离子水对兆声清洗后微晶玻璃进行超声清洗，超声波的功率为300瓦，超声清洗的时间为900s，得到超声清洗后微晶玻璃。最后在温度为70摄氏度的氮气的氛围下对超声清洗后微晶玻璃进行干燥处理，干燥1000s，得到抛光后微晶玻璃。

采用ZYGO光学表面轮廓仪测量抛光后微晶玻璃表面的粗糙度，扫描范围为50*70μm，每个样品测试3个点，求其平均值。粗糙度测试结果分别为0.469nm，0.471nm，0.482nm，0.479nm，0.481nm，0.476nm。均小于0.5nm，满足微晶玻璃表面加工的要求。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。