公开/公告号CN107442922A
专利类型发明专利
公开/公告日2017-12-08
原文格式PDF
申请/专利权人 上海航天精密机械研究所;
申请/专利号CN201710843316.0
申请日2017-09-18
分类号B23K20/00(20060101);B23K20/14(20060101);B23K20/16(20060101);B23K20/24(20060101);B23K103/18(20060101);
代理机构31236 上海汉声知识产权代理有限公司;
代理人郭国中
地址 201699 上海市松江区贵德路1号
入库时间 2023-06-19 03:59:41
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-01-05
实质审查的生效 IPC(主分类):B23K20/00 申请日:20170918
实质审查的生效
2017-12-08
公开
公开
机译: 一种在SiC中引入杂质掺杂剂的方法,由该方法形成的半导体器件以及使用高掺杂非晶层作为掺杂剂扩散到SiC中的源
机译: 使用大块非晶中间层连接金属
机译: 使用块状非晶中间层连接金属