场效应晶体管的半导体材料堆叠的上表面的多层钝化

摘要

本发明涉及一种场效应晶体管，其包括半导体材料的堆叠(Emp)，该堆叠的上表面(14)被包括两个子层的钝化层(16)覆盖，两个子层为：第一子层(16a)，其在第二低强度区域(Z2)上延伸，所述第一子层(16a)包括具有电击穿电场Ecl1的第一材料，所述第一子层(16a)的负载严格小于堆叠的所述上表面(14)的负载；以及第二子层(16b)，其在第一高强度区域(Z1)上延伸并且覆盖所述第一子层(16a)，所述第二子层(16b)包括第二材料，所述第二材料的电击穿电场Ecl2严格大于Ecl1。