一种求取泥质砂岩储层地层水电阻率以及岩电参数的方法

摘要

本发明提供了一种求取泥质砂岩储层地层水电阻率以及岩电参数的方法,利用该方法可以将岩电参数a、m以及地层水电阻率Rw通过迭代的方法快速准确的求解出来，通过本发明，仅需给出一个含水饱和度为100％的水层，就可以通过迭代的方法较为准确的求得岩电参数以及地层水电阻率。既解决了常规Pickett图版无法用于泥质砂岩地层水电阻率计算的问题，也有助于探井、开发井含水饱和度快速计算，提高了含水饱和度计算精度。

说明书

技术领域

本发明涉及地球物理测井技术领域，尤其涉及一种求取泥质砂岩储层地层水电阻率以及岩电参数的方法。

背景技术

在油气田测井评价过程中，岩电参数以及地层水电阻率的精确求取是含水饱和度计算的关键精确与否的关键所在。目前岩电参数获取方法主要是通过取心岩电实验获得，地层水电阻率获取方法主要是通过水分析资料来确定。1966年Pickett提出了经典Pickett图版，只需找到一个含水饱和度为100％的纯水层，即可在电阻率-孔隙度的双对数坐标轴上计算出地层水电阻率和岩电参数。然而，在实际生产实践中，技术人员发现通过实验数据确定岩电参数及地层水电阻率的方法耗时较长，不符合现场快速解释评价的需求；而Pickett图版虽然可以快速计算地层水电阻率，但是并不适用于泥质砂岩储层。

发明内容

本发明提供了一种能够快速准确求取泥质砂岩储层地层水电阻率以及岩电参数的方法，利用该方法可以将岩电参数a、m以及地层水电阻率Rw通过迭代的方法快速准确的求解出来，有利于探井、开发井的精细评价。

为解决上述技术问题，本发明提供了一种求取泥质砂岩储层地层水电阻率以及岩电参数的方法，包括以下步骤：

S1：通过测井曲线(岩性、电性、物性)找到一个含水饱和度为100％的水层，读出该层电阻率Rt；

S2：通过岩性曲线(GR、SP曲线)计算该水层的泥质含量Vsh，通过物性曲线(DEN、CNL、AC曲线)计算出水层的孔隙度φ；

S3：给定岩性指数与地层水电阻率乘积aRw以及胶结指数m初值分别为：aRw1、m1，用该参数计算泥质校正项Ash，计算公式为：

S4：使用泥质校正项Ash对电阻率进行校正，计算出Rt/Ash与孔隙度φ进行交会，绘制出泥质砂岩Pickett图版，将水层Rt/Ash与孔隙度φ建立幂函数关系R_t/A_sh＝(aR_w)'φ^-m'，计算若ΔaR_w＜1％、Δm＜1％，则说明岩性指数与地层水电阻率乘积aRw以及胶结指数m为真实值，否则将(aR_w)'和m'作为步骤S3初值带入并重复步骤S3、步骤S4直至满足收敛条件，求解出岩性指数与地层水电阻率乘积aRw以及胶结指数m的真实值。

本申请实施例中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：

通过本发明，仅需给出一个含水饱和度为100％的水层，就可以通过迭代的方法较为准确的求得岩电参数以及地层水电阻率。既解决了常规Pickett图版无法用于泥质砂岩地层水电阻率计算的问题，也有助于探井、开发井含水饱和度快速计算，提高了含水饱和度计算精度。

附图说明

图1第一次迭代效果图；

图2第三次迭代效果图；

图3第六次迭代效果图。

具体实施方式

为了更好的理解上述技术方案，下面将结合具体的实施方式对上述技术方案进行详细的说明。

本实施例所述的一种求取泥质砂岩储层地层水电阻率以及岩电参数的方法，包括以下步骤：

步骤1：通过测井曲线(岩性、电性、物性)找到一个含水饱和度为100％的水层，读出该层电阻率Rt；

步骤2：通过岩性曲线(GR、SP曲线)计算该水层的泥质含量Vsh，通过物性曲线(DEN、CNL、AC曲线)计算出水层的孔隙度φ；

步骤3：给定岩性指数与地层水电阻率乘积aRw以及胶结指数m初值分别为：2、4，用该参数计算泥质校正项Ash，计算公式为：

步骤4：使用泥质校正项Ash对电阻率进行校正，计算出Rt/Ash与孔隙度φ进行交会，绘制出泥质砂岩Pickett图版，将水层Rt/Ash与孔隙度φ建立幂函数关系R_t/A_sh＝(aR_w)'φ^-m'，计算若ΔaR_w＜1％、Δm＜1％，则说明岩性指数与地层水电阻率乘积aRw以及胶结指数m为真实值，否则将(aR_w)'和m'作为步骤3初值带入并重复步骤3、步骤4直至满足收敛条件，经过6次迭代求解出岩性指数与地层水电阻率乘积aRw以及胶结指数m的真实值分别为0.067、1.984。

本发明的基本原理是基于印度尼西亚公式，融入Pickett图版思想，得到地层水电阻率以及岩电参数关系式，即：

有且仅有1组岩性指数与地层水电阻率乘积aRw以及胶结指数m能够满足该式，故以该式作为迭代公式，输入初值，通过迭代，就可以求出岩性指数与地层水电阻率乘积aRw以及胶结指数m的真实值。

以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。