半导体激光器的腔面制备方法及其腔面制备装置

摘要

一种半导体激光器的腔面制备方法及其腔面制备装置，其中方法包括以下步骤：将划有解理线的晶片放入解理腔，解理腔根据解理线，解理得到至少一个bar条；将至少一个bar条传送至钝化腔，以对每一个bar条的两个腔面钝化；将上述至少一个bar条传送至镀膜腔，对其每一个的两个腔面分别蒸镀高反膜和高透膜，完成半导体激光器的腔面制备；其中，解理腔、钝化腔及镀膜腔均处于真空状态。本发明在真空条件下对半导体激光器进行解理和钝化，并在真空中直接蒸镀半导体激光器前后腔面的光学膜，可有效避免其与空气接触、避免新解理的腔面被空气中的氧和碳等杂质所污染，避免腔面形成表面态，从而可有效抑制腔面光学灾变的产生。