形成金属氧化膜外壳的连续的结晶成长结构的量子点制备方法以及由此制备的量子点

摘要

本发明公开了一种形成金属氧化膜外壳的连续的结晶成长结构的量子点制备方法以及由此制备的量子点。目前的量子点存在因外部的水分或者氧等的渗透而发生光退化、热退化现象等的问题。本发明提供的制备方法包含合成量子点，以及将溶解于有机溶剂中的含有铝、钛、镧、锗、锶、铟、镍、硅之中至少1个的金属反应性物质注入到 量子点反应中，使其在上述量子点的表面形成金属氧化膜。本发明在量子点上形成金属氧化膜，能够起到防止气体透过的作用，使水分和氧气无法从外部渗透到量子点内部，防止因从外部渗透的水、氧而发生光退化，确保量子点结构稳定性，量子点的热稳定性和氧化稳定性优秀。