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一种四氯化硅氢化工艺和三氯氢硅制备高纯硅工艺

摘要

本发明为一种四氯化硅氢化工艺和三氯氢硅制备高纯硅工艺。一种三氯氢硅制备高纯硅工艺,包括:(1)将三氯氢硅气体和氢气进入微通道混合加热器加热并混合,得加热后的混合气体;(2)将加热后的混合气体送入微通道反应器,加热并在催化剂的存在下反应,得反应后的混合物;(3)将反应后的混合物降温至后,进行固气分离,得高纯硅和冷却后的混合气体;将冷却后的混合气体中各个组分分离并回收利用。本发明还公布了一种四氯化硅氢化工艺。本发明所述的一种四氯化硅氢化工艺和三氯氢硅制备高纯硅工艺,与传统工艺相比,四氯化硅和三氯氢硅的转化率可以达到50%以上;该工艺与微化工工艺结合,从而可以提高转化率、生产工艺的安全性,降低能耗。

著录项

  • 公开/公告号CN107162003A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-09-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 于志远;

    申请/专利号CN201710522320.7

  • 发明设计人 于志远;何燕清;佘建峰;刘于航;

    申请日2017-06-30

  • 分类号

  • 代理机构北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人王伟锋

  • 地址 830000 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市新市区迎宾北一路4号

  • 入库时间 2023-06-19 03:20:27

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-10-17

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01B33/107 申请日:20170630

    实质审查的生效

  • 2017-09-15

    公开

    公开

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