公开/公告号CN107153507A
专利类型发明专利
公开/公告日2017-09-12
原文格式PDF
申请/专利权人 北京兆易创新科技股份有限公司;
申请/专利号CN201610119827.3
申请日2016-03-03
分类号G06F3/06(20060101);G06F11/10(20060101);
代理机构11332 北京品源专利代理有限公司;
代理人胡彬;邓猛烈
地址 100083 北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座12层
入库时间 2023-06-19 03:19:06
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-10-10
实质审查的生效 IPC(主分类):G06F3/06 申请日:20160303
实质审查的生效
2017-09-12
公开
公开
机译: 基于NAND的NMOS NOR闪存单元,基于NAND的NMOS NOR闪存阵列以及形成基于NAND的NMOS NOR闪存阵列的方法
机译: 基于NAND的NMOS NOR闪存单元,基于NAND的NMOS NOR闪存阵列以及形成基于NAND的NMOS闪存阵列的方法
机译: 基于NAND的NMOS NOR闪存存储单元,基于NAND的NMOS NOR闪存存储阵列以及形成基于NAND的NMOS NOR闪存存储阵列的方法