法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-04-10
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G01N29/032 申请公布日:20170905 申请日:20170615
发明专利申请公布后的驳回
2017-09-29
实质审查的生效 IPC(主分类):G01N29/032 申请日:20170615
实质审查的生效
2017-09-05
公开
公开
机译: 用于二元和三元合金或固溶体形成羟基接触的薄膜电极,用于形成高质量的基于GaN的光学器件的P型热薄膜,并提供了一种使镁-碳键合断裂的方法和增加断裂的方法周围的GaN表面
机译: 一种制备场效应二元胶卷的方法
机译: 一种制备场效应二元胶卷的方法