纳米线阵列的雕刻方法及纳米线阵列

摘要

本发明涉及纳米技术领域，具体公布一种纳米线阵列的雕刻方法。这种方法包括：1)制作纳米线；2)在所述纳米线表面进行多层光刻胶的涂覆处理，形成NAs@PR基质，用紫外光曝光NAs@PR基质，最后将NAs@PR基质浸没在刻蚀溶液中。通过本雕刻方法，获得质量高、形态和密度可控的纳米线阵列。