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公开/公告号CN107093553A
专利类型发明专利
公开/公告日2017-08-25
原文格式PDF
申请/专利权人 英飞凌科技股份有限公司;
申请/专利号CN201710090927.2
发明设计人 W·舒斯特德;M·布鲁格;M·杰里纳克;J·G·拉文;H-J·舒尔策;
申请日2017-02-20
分类号H01L21/265(20060101);H01L21/67(20060101);
代理机构11256 北京市金杜律师事务所;
代理人郑立柱
地址 德国诺伊比贝尔格
入库时间 2023-06-19 03:10:37
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-09-19
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/265 申请日:20170220
实质审查的生效
2017-08-25
公开
机译: 用于半导体制造的离子注入方法,例如DRAM-通过确定可进行注入的表面层厚度,提供该层并将离子注入到衬底中
机译: 离子注入机,用于将离子注入到衬底中。电子设备中的半导体晶片
机译:铂离子注入与沉积相结合的方法在6H-SiC衬底上生长的半导体结构检测氢的特征
机译:离子注入与铂沉积相结合的方法在6H-SiC衬底上获得的半导体结构的氢检测特性
机译:使用电场加速和优化用于半导体材料改性的激光产生离子流,将Ge和Si离子注入和溅射到SiO2衬底中
机译:MeV离子注入层在III-V化合物半导体中的表征和应用。
机译:嵌入晶体Ge中的磁性Mn5Ge3纳米晶体:通过离子注入合成的磁体/半导体混合物
机译:MeV离子注入的III-V化合物半导体中的晶格无序,相变和衬底温度效应
机译:通过离子注入在siC中形成用于柔顺衬底的掩埋软层