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半导体硫化锑纳米晶及其制备方法和光催化产氢性能测试方法

摘要

本发明属于纳米光催化技术领域,涉及半导体硫化锑(Sb2S3)纳米晶及其制备方法和光催化产氢性能的测试方法,其化学式为:Sb2S3,分子量为339.68,结构为正交晶系,空间群号:Pcmn(62);其晶体颗粒呈无规则球形状,晶体颗粒大小分布较窄为6.5nm~11.5nm,高斯拟合后得出平均尺寸为8.67nm,且化学成分比较均匀、结构单一,表面纯净,半导体硫化锑纳米晶的直接带隙值约为1.74eV本发明的有益效果在于:使用的机械合金法属于一种物理合成方法,相比于化学制备方法具有操作简便、设备价格低廉、对环境没有污染、易于大规模生产等优势。

著录项

  • 公开/公告号CN107089681A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-08-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉理工大学;

    申请/专利号CN201710244861.8

  • 发明设计人 谭国龙;吴佩年;

    申请日2017-04-14

  • 分类号C01G30/00(20060101);B82Y30/00(20110101);B82Y40/00(20110101);C03C17/34(20060101);B01J27/04(20060101);G01N27/48(20060101);

  • 代理机构42102 湖北武汉永嘉专利代理有限公司;

  • 代理人崔友明

  • 地址 430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号

  • 入库时间 2023-06-19 03:07:54

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-08-30

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C01G30/00 申请公布日:20170825 申请日:20170414

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2017-09-19

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01G30/00 申请日:20170414

    实质审查的生效

  • 2017-08-25

    公开

    公开

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