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具有降低翘曲风险的反向导通闸控双极导通装置及方法

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摘要

反向导通IGBT，其中集电极侧包括二极管端区，并且半导体材料穿过二极管端区比穿过集电极区厚得多。这利用由二极管端区占据的面积分数来对晶圆提供增加的刚性，从而避免翘曲。

公开/公告号CN107078156A

专利类型发明专利
公开/公告日2017-08-18

原文格式PDF
申请/专利权人马克斯半导体股份有限公司;
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申请/专利号CN201680002719.6
发明设计人曾军;穆罕默德·达维希;
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申请日2016-01-05
分类号H01L29/739(20060101);H01L27/06(20060101);H01L29/06(20060101);H01L29/16(20060101);H01L29/872(20060101);H01L21/331(20060101);H01L21/329(20060101);
代理机构11276 北京市浩天知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人刘云贵
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2023-06-19 03:07:54

1. 具有降低翘曲风险的反向导通闸控双极导通装置及方法 [P] . 中国专利： CN107078156A . 2017-08-18
2. 反向导通半导体器件及用于制造这样的反向导通半导体器件的方法 [P] . 中国专利： CN101952968B . 2013.12.18
3. Reverse-Conducting Gated-Base Bipolar-Conduction Devices and Methods with Reduced Risk of Warping [P] . 美国专利： US2016211258A1 . 2016-07-21

机译：降低翘曲风险的反向导通基极双极传导装置和方法
4. Low voltage dual-well MOS device having high ruggedness, low on- resistance, and improved body diode reverse recovery [P] . 德国专利： DE60042866D1 . 2009-10-15

机译：具有高耐用性，低导通电阻和改进的体二极管反向恢复的低压双阱MOS器件
5. Low Voltage Dual-Well MOS Device Having Ruggedness, Low On-Resistance, and Improved Body Diode Reverse Recovery [P] . 韩国专利： KR100660764B1 . 2006-12-26

机译：具有坚固性，低导通电阻和改进的体二极管反向恢复的低压双阱MOS器件