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一种钙掺杂氢氧化钴纳米片电极材料及其制法和在制备超级电容器中的应用

摘要

一种薄片状钙掺杂氢氧化钴电极材料的制备方法,它是将50ml浓度为15‑30g/L的氢氧化钙浆料和50ml浓度为0.2‑0.5mol/L的钴离子溶液混合发生离子交换反应,将搅拌后的后的混合体系进行过滤,洗涤并在80℃烘干即得到钙掺杂的氢氧化钴。该方法得到钙掺杂的氢氧化钴材料作为电极材料应用于超级电容器储能具有比普通方法制备的氢氧化钴更优异的电容性能。

著录项

  • 公开/公告号CN107068421A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-08-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 黄冈师范学院;

    申请/专利号CN201710144721.3

  • 申请日2017-03-13

  • 分类号

  • 代理机构南京知识律师事务所;

  • 代理人黄嘉栋

  • 地址 438000 湖北省黄冈市开发区新港2路146号

  • 入库时间 2023-06-19 03:06:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-04-17

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01G11/86 申请公布日:20170818 申请日:20170313

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2017-09-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01G11/86 申请日:20170313

    实质审查的生效

  • 2017-08-18

    公开

    公开

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