具有分段行寻址页寄存器的存储器阵列

摘要

新存储技术的存取速度可能不兼容现有存储器技术的产品规格，例如DRAM、SRAM和闪存技术。它们的电气参数和表现不同，使得它们在不具有新的架构和设计来克服其限制的情况下不能满足现有的存储器芯规格。新型存储器，例如STT‑MRAM、电阻RAM、相变RAM和被称为垂直层闸流晶体管(VLT)RAM的新一类存储器需要新的读取感测和写入电路，其并入了新的电压或电流电平和时序控制，以使这些存储器技术能够在现今的系统中工作。提供了系统和方法，以用于使这些技术的存储器芯对于现有外围逻辑器件是透明的，以使它们可以容易地被集成。