公开/公告号CN107017292A
专利类型发明专利
公开/公告日2017-08-04
原文格式PDF
申请/专利权人 格罗方德半导体公司;
申请/专利号CN201611137241.6
申请日2016-12-12
分类号H01L29/737(20060101);H01L29/10(20060101);H01L29/08(20060101);H01L21/331(20060101);
代理机构11314 北京戈程知识产权代理有限公司;
代理人程伟;王锦阳
地址 英属开曼群岛大开曼岛
入库时间 2023-06-19 02:58:05
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-08-29
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/737 申请日:20161212
实质审查的生效
2017-08-04
公开
公开
机译: 具有不同标高的基极的异质结双极晶体管
机译: 具有不同基极轮廓的异质结双极晶体管的集成
机译: 具有外延生长的本征基极和沉积的本征基极的绝缘体上半导体横向异质结双极晶体管