公开/公告号CN107017247A
专利类型发明专利
公开/公告日2017-08-04
原文格式PDF
申请/专利权人 万国半导体股份有限公司;
申请/专利号CN201611186103.7
申请日2016-12-21
分类号H01L27/02(20060101);H01L29/06(20060101);H01L21/822(20060101);
代理机构31249 上海信好专利代理事务所(普通合伙);
代理人周乃鑫
地址 美国加利福尼亚94085桑尼维尔奥克米德公园道475
入库时间 2023-06-19 02:58:05
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-08-04
授权
授权
2020-05-12
专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L27/02 登记生效日:20200423 变更前: 变更后: 申请日:20161221
专利申请权、专利权的转移
2017-08-29
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/02 申请日:20161221
实质审查的生效
2017-08-04
公开
公开
机译: 具有低击穿电压的低压瞬态电压抑制器
机译: 具有降低的击穿电压的瞬态电压抑制器(TVS)
机译: 具有对称击穿电压的瞬态电压抑制器的形成方法