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公开/公告号CN106972098A
专利类型发明专利
公开/公告日2017-07-21
原文格式PDF
申请/专利权人 三星电子株式会社;
申请/专利号CN201610900409.8
发明设计人 徐载训;金钟圭;吴廷翼;金仁皓;朴钟撤;白光铉;梁贤宇;
申请日2016-10-14
分类号H01L43/12(20060101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人屈玉华
地址 韩国京畿道
入库时间 2023-06-19 02:53:54
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-07-20
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L43/12 申请日:20161014
实质审查的生效
2017-07-21
公开
机译: 形成互连线的方法和使用该互连线的磁存储器件的制造方法
机译: 用Damascene方法形成互连线的方法,以及在互连线形成中使用的基于二氧化硅的液体涂层的涂层
机译: 使用Damascene方法形成互连线的过程以及用于互连线形成的液态硅化成膜涂层
机译:使用kantorovich型假设的Broyden的方法和BFGS算法的超连线融合
机译:使用时域有限差分(FDTD)方法分析互连线
机译:使用ADI-FDTD方法对互连线进行建模
机译:互连线中的互耦:使用时域有限差分法进行分析
机译:一种并行的多块结构化网格方法,该方法具有用于化学反应流的自动互块非结构化网格。
机译:使用新型ZnO牺牲模板生长水热方法在基底上直接形成金纳米颗粒及其在有机存储器件中的性能
机译:制造价互变化材料的非常规方法:将氧化还原中心整合在冶金框架内
机译:使用金属卤化物制造具有阻挡膜形成的半导体器件的方法及其产品。