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一种类单晶硅锭及其制备方法和一种类单晶硅铸锭炉

摘要

本发明公开了一种类单晶硅锭的制备方法,包括:在坩埚内铺设籽晶形成籽晶层;在籽晶层上方设置熔融状态的硅熔体,控制坩埚底部温度低于籽晶的熔点,使得籽晶层不被完全熔化;调节热场形成过冷状态,使硅熔体在籽晶层的基础上开始长晶;长晶过程中,以1转/分钟‑60转/分钟的搅拌速度持续或间断地搅拌硅熔体;待全部硅熔体结晶完后,经退火冷却得到类单晶硅锭。本发明提供的类单晶硅锭的制备方法,通过在长晶过程中搅拌硅熔体,增强硅熔体的对流,这样可以减少金属杂质进入类单晶硅锭中,减少杂质的富集,提高硅锭的少子寿命,也提高了铸造类单晶的单晶面积。本发明还提供了采用该制备方法制得的类单晶硅锭,本发明还提供了一种类单晶硅铸锭炉。

著录项

  • 公开/公告号CN106854774A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-06-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司;

    申请/专利号CN201611269682.1

  • 发明设计人 陈红荣;胡动力;鄢俊琦;黄亮亮;

    申请日2016-12-30

  • 分类号C30B11/00;C30B28/06;C30B29/06;

  • 代理机构广州三环专利代理有限公司;

  • 代理人郝传鑫

  • 地址 338000 江西省新余市高新经济开发区赛维工业园专利办公室

  • 入库时间 2023-06-19 02:34:26

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-02-04

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B11/00 申请公布日:20170616 申请日:20161230

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2017-07-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B11/00 申请日:20161230

    实质审查的生效

  • 2017-06-16

    公开

    公开

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