一种增强氧化锌‑氮化镓异质结构电致发光的方法

摘要

本发明公开了一种增强氧化锌‑氮化镓(ZnO‑GaN)异质结构电致发光的方法，利用气相传输的方法在p型GaN(p‑GaN)衬底上制备氧化锌纳米棒阵列，构建n‑ZnO‑p‑GaN异质结构，并采用磁控溅射的方法在ZnO纳米棒阵列表面修饰金属铝纳米颗粒，形成铝纳米颗粒修饰的n‑ZnO‑p‑GaN复合体系。通过金属铝纳米颗粒局域表面等离子体效应，增强ZnO纳米阵列自发辐射性能，提升异质结构内量子效率。本发明为构建高性能光电器件提供了一种行之有效的方法，同时解决了异质结构器件在界面处由于晶格结构和能带结构的不匹配而造成的发光效率偏低等一系列问题，本发明在未来的光电技术领域有着巨大的潜在应用。