公开/公告号CN106847672A
专利类型发明专利
公开/公告日2017-06-13
原文格式PDF
申请/专利权人 上海新傲科技股份有限公司;
申请/专利号CN201710122946.9
申请日2017-03-03
分类号H01L21/02;
代理机构上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人孙佳胤
地址 201821 上海市嘉定区普惠路200号
入库时间 2023-06-19 02:33:02
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-07-07
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20170303
实质审查的生效
2017-06-13
公开
公开
机译: 生长用于基于氮化镓的半导体电子器件的氮化镓半导体膜的方法,制造基于氮化镓的半导体电子器件的方法,外延衬底以及基于氮化镓的半导体电子器件
机译: 氮化镓基半导体发光器件,制造氮化镓基半导体发光器件的方法,氮化镓基发光二极管,外延晶片以及制造氮化镓基发光二极管的方法
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