一种阵列结构量子点发光二极管器件及其制备方法

摘要

本发明公开一种阵列结构量子点发光二极管器件及其制备方法，所述器件从下至上依次包括衬底、底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和顶电极，其中，所述底电极上还设置有一层具有蜂窝孔结构的阳极氧化铝膜，所述空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层和电子传输层均沉积在所述阳极氧化铝膜的蜂窝孔内。本发明将传统层状结构的QLED器件改变为阵列结构的QLED器件，所述阵列结构QLED器件能够将发光面细分为点阵发光，既可减少器件发热量，同时还可以更好的隔绝水分子及其它有害气体对QLED器件各个功能层的损害，从而达到延长QLED器件寿命的目的。