一种提高硅/金属氧化物纳米线阵列光电化学性能的方法

摘要

本发明公开了一种提高硅/金属氧化物纳米线阵列光电化学性能的方法，即对硅/金属氧化物纳米线阵列进行光电化学处理，所述方法包括在模拟太阳光照射下，将硅/金属氧化物纳米线阵列置于强碱溶液中，对硅/金属氧化物纳米线阵列施加恒定电位并持续一定时间。本发明通过对硅/金属氧化物纳米线阵列进行光电化学处理来提高光电化学性能，填补了现有技术的空白，使用该方法提升半导体光电极光电化学性能不仅成本低，且工艺简单，便捷有效，不仅进一步提高光电化学分解水效率，而且使这一先进技术有可能真正实现实用化。