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用于氧化等离子体后处理以减少光刻中毒的技术及相关结构

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摘要

本公开内容的实施例描述了用于氧化等离子体后处理以减少光刻中毒的技术。在一个实施例中，一种设备包括具有多个布线特征的电介质层；以及蚀刻停止层，该蚀刻停止层具有与电介质层耦合的第一界面区域以及与第一界面区域相对设置的第二界面区域。第一界面区域具有跨第一界面区域均匀分布的峰值二氧化硅(SiO

1. 用于氧化等离子体后处理以减少光刻中毒的技术及相关结构 [P] . 中国专利： CN106716606A . 2017-05-24
2. 一种减少光刻胶中毒的工艺方法 [P] . 中国专利： CN112201570A . 2021-01-08
3. Techniques and related structures for oxidative plasma post-treatment to reduce photolithographic poisoning [P] . 日本专利： JP6541279B2 . 2019-07-10

机译：氧化等离子体后处理减少光刻中毒的技术及相关结构
4. Techniques for oxidation plasma aftertreatment to reduce photolithographic poisoning and related structures [P] . 日本专利： JP2017528913A . 2017-09-28

机译：氧化等离子体后处理以减少光刻中毒及相关结构的技术
5. TECHNIQUE FOR OXIDIZING PLASMA POST-TREATMENT FOR REDUCING PHOTOLITHOGRAPHY POISONING AND ASSOCIATED STRUCTURES [P] . 欧洲知识产权局专利： EP3198630A4 . 2018-05-02

机译：氧化等离子后处理技术减少光刻技术中毒及相关结构的技术