首页> 中国专利> 提高多孔硅纵向物理结构均匀性和光学特性稳定性的方法

提高多孔硅纵向物理结构均匀性和光学特性稳定性的方法

摘要

本发明公开了一种提高多孔硅纵向物理结构均匀性和光学特性稳定性的方法。该方法是在腐蚀电路中串联一个脉冲宽度调制器作为控制开关,使输出的恒流腐蚀电流脉冲宽度逐渐减小。在制备多孔硅过程中,一方面,由于输出的恒流腐蚀电流脉冲宽度逐渐减小,从而在纵向方向上引起多孔硅的多孔度随腐蚀深度增加而减小;另一方面,在正常的恒电流密度的腐蚀条件下,随腐蚀深度的增加,多孔度变大或折射率变小。在一定条件下,二者达到动态平衡,使多孔硅材料沿纵向方向其多孔度保持一致性,增强了多孔硅薄膜内表面的纵向物理结构的均匀性,同时,保证了多孔硅薄膜纵向物理结构的均匀性和光学特性的稳定性。

著录项

  • 公开/公告号CN106653593A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-05-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 湖南文理学院;

    申请/专利号CN201610945271.3

  • 发明设计人 龙永福;

    申请日2016-10-26

  • 分类号H01L21/3063;

  • 代理机构常德市源友专利代理事务所;

  • 代理人易炳炎

  • 地址 415000 湖南省常德市武陵区洞庭大道3150号

  • 入库时间 2023-06-19 02:10:49

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-06-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/3063 申请日:20161026

    实质审查的生效

  • 2017-05-10

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号