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用于低毛刺噪声分段式DAC的混合R‑2R结构

摘要

装置可以为N位DAC,该N位DAC包括与M个最高有效位相关联的(2M‑1)个并联级以及与(N‑M)个最低有效位相关联的(N‑M)个级。(2M‑1)个并联级可以向DAC的电流加和节点递送第一电流。(N‑M)个级可以包括电阻性网络和第二对开关,并且可以向该级的电阻性网络递送第二电流。每个电阻性网络可以根据与电阻性网络相对应的级的二进制权重来缩放分别递送的电流,并且可以向该对电流加和节点递送经缩放的电流。(N‑M)个级中的至少一个级可以与剩余级分离。

著录项

  • 公开/公告号CN106688184A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-05-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 高通股份有限公司;

    申请/专利号CN201580026954.2

  • 发明设计人 S·M·李;D·塞奥;

    申请日2015-05-06

  • 分类号H03M1/06(20060101);H03M1/08(20060101);H03M1/68(20060101);H03M1/78(20060101);

  • 代理机构11256 北京市金杜律师事务所;

  • 代理人王茂华;张曦

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-06-19 02:10:49

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-06-09

    实质审查的生效 IPC(主分类):H03M1/06 申请日:20150506

    实质审查的生效

  • 2017-05-17

    公开

    公开

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