退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN106688041A
专利类型发明专利
公开/公告日2017-05-17
原文格式PDF
申请/专利权人 英特尔公司;
申请/专利号CN201480081445.5
发明设计人 S·马尼帕特鲁尼;D·E·尼科诺夫;A·汗;R·金;T·加尼;I·A·扬;
申请日2014-09-25
分类号G11C11/15(20060101);
代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;
代理人邬少俊;王英
地址 美国加利福尼亚
入库时间 2023-06-19 02:10:49
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-10-27
实质审查的生效 IPC(主分类):G11C11/15 申请日:20140925
实质审查的生效
2017-05-17
公开
机译: 具有低写入电流的热辅助自旋转移力矩写入程序的磁存储器
机译:磁性隧道结中的自旋转移力矩切换和自旋转移力矩随机存取存储器
机译:热辅助自旋转移力矩磁性随机存取存储器的自热分析
机译:自旋转移力矩磁随机存取存储器中的自旋电子处理单元
机译:自旋转移力矩磁性随机存取存储器:面向10 nm以下的器件
机译:纳米级非易失性存储器电路设计使用新出现的自旋转移扭矩磁随机存取存储器
机译:热辅助自旋转移力矩磁随机存取存储器的自热分析
机译:磁性力矩,E3跃迁和sup 211 Rn中高自旋核激发态的结构