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应变辅助自旋力矩翻转自旋转移力矩存储器

摘要

描述了一种设备,其包括:磁性隧道结(MTJ),所述MTJ具有自由磁性层;压电层;以及导电应变传递层,所述导电应变传递层耦合至所述自由磁性层和所述压电层。描述了一种方法,其包括:利用电压驱动的电容性刺激来激励压电层;以及经由应变辅助层写入至耦合至所述压电层的MTJ。还描述了一种设备,其包括:晶体管;导电应变传递层,所述导电应变传递层耦合至所述晶体管;以及MTJ器件,所述MTJ器件具有耦合至所述导电应变传递层的自由磁性层。

著录项

  • 公开/公告号CN106688041A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-05-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英特尔公司;

    申请/专利号CN201480081445.5

  • 申请日2014-09-25

  • 分类号G11C11/15(20060101);

  • 代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;

  • 代理人邬少俊;王英

  • 地址 美国加利福尼亚

  • 入库时间 2023-06-19 02:10:49

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-10-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C11/15 申请日:20140925

    实质审查的生效

  • 2017-05-17

    公开

    公开

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