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一种三层结构的聚合物基介电储能纳米复合材料及其制备方法

摘要

一种三层结构的聚合物基介电储能纳米复合材料及其制备方法。本发明涉及电子复合材料及储能材料制备技术领域,特别是涉及一种三层结构的聚合物基介电储能纳米复合材料及其制备方法。本发明的目的在于提高聚合物基体介电常数的同时保持高的击穿场强和低的介电损耗。三层结构的聚合物基介电储能纳米复合材料由两层KTN/聚合物复合薄膜和一层高分子聚合物薄膜组成;方法:一、制备KTN/聚合物混合溶液;二、制备聚合物溶液;三、涂膜;四、成膜。本发明用于制备三层结构的聚合物基介电储能纳米复合材料。

著录项

  • 公开/公告号CN106633153A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-05-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 哈尔滨理工大学;

    申请/专利号CN201611247610.7

  • 发明设计人 杨文龙;陈高汝;林家齐;

    申请日2016-12-29

  • 分类号C08J7/04(20060101);C08J5/18(20060101);C08L79/08(20060101);C08K3/24(20060101);

  • 代理机构23109 哈尔滨市松花江专利商标事务所;

  • 代理人李红媛

  • 地址 150080 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号

  • 入库时间 2023-06-19 02:05:15

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-06-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):C08J7/04 申请日:20161229

    实质审查的生效

  • 2017-05-10

    公开

    公开

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