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一种锑锗多层纳米复合相变材料及其制备和应用

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本发明涉及一种锑锗多层纳米复合相变材料及其制备和应用，该复合相变材料为Sb薄膜和Ge薄膜交替排列成多层薄膜结构，Sb薄膜的厚度为1‑3nm，Ge薄膜的厚度为0.5‑3.5nm，采用磁控溅射法，在SiO

著录项

公开/公告号CN106601908A

专利类型发明专利
公开/公告日2017-04-26

原文格式PDF
申请/专利权人同济大学;
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申请/专利号CN201611168168.9
发明设计人翟继卫;陈施谕;吴卫华;
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申请日2016-12-16
分类号H01L45/00;B82Y30/00;
代理机构上海科盛知识产权代理有限公司;
代理人陈亮
地址 200092 上海市杨浦区四平路1239号
入库时间 2023-06-19 02:02:25

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-03-27

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L45/00 申请公布日:20170426 申请日:20161216

发明专利申请公布后的驳回
2017-05-24

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L45/00 申请日:20161216

实质审查的生效
2017-04-26

公开

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