硅片的表面钝化技术

摘要

本发明提供了一种硅片的表面钝化技术。本发明通过在硅片的表面制备聚苯乙烯磺酸薄膜，以实现对硅片表面的钝化。在硅片表面所制备的聚苯乙烯磺酸薄膜的厚度为纳米量级。聚苯乙烯磺酸薄膜钝化硅片表面后，可获得高质量的钝化效果，少子寿命可达到20ms以上。且制备聚苯乙烯磺酸薄膜可通过旋涂法、喷涂法或印刷法等来实现，钝化技术工艺简单，无需真空，无需高温，安全且便于操作。本发明所提供的钝化技术对于硅材料检测和硅太阳能电池的表面钝化具有非常重要的应用价值。