创建具有富铟表面的砷化铟镓有源沟道的装置和方法

摘要

具有砷化铟镓有源沟道的晶体管器件、以及用于制造该砷化铟镓有源沟道的工艺，当制造鳍状物形状的有源沟道(例如在三栅极或全包围栅(GAA)器件中使用的那些)时，该砷化铟镓有源沟道实现了提高的载流子迁移率。在一个实施例中，砷化铟镓材料可以设置在窄沟槽中，该窄沟槽可能导致具有富铟表面和富锗中心部分的鳍状物。这些富铟表面将邻接晶体管的栅极氧化物并且可能得到相对于传统的同质组分砷化铟镓有源沟道的高电子迁移率和提高的开关速度。