公开/公告号CN106511257A
专利类型发明专利
公开/公告日2017-03-22
原文格式PDF
申请/专利权人 华中科技大学;华中科技大学同济医学院附属协和医院;
申请/专利号CN201610882818.X
申请日2016-10-10
分类号A61K9/00(20060101);A61K47/34(20170101);A61K47/36(20060101);A61L31/06(20060101);A61L31/04(20060101);A61L31/14(20060101);B23K26/362(20140101);
代理机构42201 华中科技大学专利中心;
代理人许恒恒
地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
入库时间 2023-06-19 01:51:07
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-05-01
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):A61B17/00 申请公布日:20170322 申请日:20161010
发明专利申请公布后的驳回
2017-04-19
实质审查的生效 IPC(主分类):A61K9/00 申请日:20161010
实质审查的生效
2017-03-22
公开
公开
机译: 基于量子点传递过程的微观平面QLED阵列装置,基于深硅蚀刻模板的量子点传输过程,与制备方法
机译: 具有接枝磁性组装性能的微阵列能力的陶瓷模板的制备方法和纳米印迹技术
机译: 基于深硅刻蚀模板量子点转移过程的微全色QLED阵列器件及其制备方法