一种ＭＥＭＳ器件制作用硅单晶材料的热场和制备方法

摘要

本发明涉及一种ＭＥＭＳ器件制作用硅单晶材料的热场和制备方法，改变了单晶炉热场的上下保温层厚度，优化了热场的纵向温度梯度，使用新型结构的导流筒，改善了氩气流场结构，采用磁场拉晶，并随着熔硅减少，逐渐增强磁场强度，以保证晶体的氧碳杂质含量得到有效控制，减少后期单晶中氧沉淀及相关缺陷的生成，掺入电中性锗元素，起到抑制微缺陷形成的作用，改善晶体的微缺陷密度参数。技术效果是减少了熔体稳定化时间，改善了拉晶效率，提高放肩拉速，小角度锥形放肩，减低晶体拉制速率，提高升温幅度和速率，抑制因锗元素造成的组分过冷问题，保证晶体生长稳定。