一种基于LED封装的有机硅树脂光转换体融膜的工艺方法及装备系统

摘要

本发明涉及一种基于LED封装的有机硅树脂光转换体融膜的工艺方法及装备系统，其特征在于：所述工艺方法包括用于精制光转换膜片的滚压成型、对精制光转换膜片进行加热滚压定形、对滚压定形后的精制光转换膜片进行融膜；所述装备系统包括用于精制光转换膜片的光面滚压压合装置、对精制光转换膜片进行加热滚压定形的滚压定形装置、对滚压定形后的精制光转换膜片进行融膜的融膜装置；所述光面滚压压合装置、滚压定形装置、融膜装置依次设置，且构成协同联动的工序装备。本发明具有以有机硅树脂光转换体融膜替代剥膜的显著优点，能够满足有机硅树脂光转换体贴合封装LED的条件需要，从而提高工业化批量LED封装的生产效率和优品率。

说明书

技术领域

本发明属于光转换体封装LED技术领域，特别是涉及一种基于LED封装的有机硅树脂光转换体融膜的工艺方法及装备系统。

背景技术

LED具有高亮度、低热量、长寿命、环保、可再生利用等优点，被称为21世纪最有发展前景的新一代绿色照明光源。目前，虽然LED的理论寿命可以达到100000小时以上，然而在实际使用中，因为受到芯片失效、封装失效、热过应力失效、电过应力失效或/和装配失效等多种因素的制约，其中以封装失效尤为突出，而使得LED过早地出现了光衰或光失效的现象，这将阻碍LED作为新型节能型照明光源的前进步伐。为了解决这些问题，业界许多学者已开展了相关研究，并且提出了一些能够提高LED光效和实际使用寿命的改进措施。如近几年新发展起来的倒装LED与传统的正装LED相比，具有高光效、高可靠性和易于集成的优点，并且封装材料大幅简化，如传统封装的金线、固晶胶、支架等都不再需要，封装工艺流程也大大简化，如传统封工艺的固晶、焊线，甚至是分光等窦不再需要，使得倒装LED得到越来越广泛的应用；但同时也要看到，现有倒装LED封装技术大多采用的是有机硅树脂类的光转换体与倒装LED芯片贴合的流延工艺、丝网印刷工艺、上下平板模工艺、单辊摆压工艺等，因在这些工艺及其相配套的封装装备中无一例外地采用了机硅树脂光转换体的制膜、膜固化、剥膜、贴合LED倒装芯片的传统工艺及装备，对外层保护膜片的剥膜处理常带来杂质、气孔，从而影响光转换膜片的厚度均匀性，影响成品LED封装体元件的出光效率、光色一致性等，使得机硅树脂光转换体封装LED的生产效率降低、良品率降低以及产品成本居高不下。

中国专利申请201010204860.9公开了“一种倒装LED芯片的封装方法”，其步骤包括：(a)通过丝网印刷把光转换体涂覆于LED芯片表面，并对光转换体进行烘烤固化；(b)把LED芯片固定在芯片基板上，使LED芯片电极与芯片基板电极键合；(c)把LED芯片和芯片基板固定在支架反射杯的杯底；(d)利用导线将已固定的芯片基板的正负电极分别与支架的正负电极连接；(e)将封模或透镜盖在固定有LED芯片和芯片基板的支架 上，并充满硅胶；(f)整体结构进行烘烤固化。该方法虽然通过丝网印刷工艺来提高光转换体涂覆厚度的均匀性，提高荧光粉颗粒分布的均匀性，以达到提高良品率的目的；但还存在以下明显不足：一是丝网印刷把有机硅树脂类的光转换体涂覆于LED芯片表面，之后在烘烤固化过程中因受热过应力影响，还是会导致光转换体涂层与LED芯片的涂覆面层局部产生气泡而形成凹凸不平的瑕疵；二是将封模或透镜盖充满硅胶与涂覆有光转换体的LED芯片封装，之后整体结构进行烘烤固化过程中因受热过应力影响，还是会导致封模或透镜盖中的硅胶面层局部产生气泡而形成凹凸不平的瑕疵，必然会导致LED光效下降，直接影响良品率的提升。

中国专利申请201310270747.4公开了“被覆有光转换体层的LED、其制造方法以及LED装置”，该方案包括：LED配置工序，在支撑片的厚度方向的一个面上配置LED；层配置工序，以被覆LED的方式在支撑片的厚度方向的一个面上配置光转换体层，所述光转换体层由含有通过活性能量射线的照射而固化的活性能量射线固化性树脂以及光转换体的荧光树脂组合物形成；固化工序，对光转换体层照射活性能量射线，使光转换体层固化；裁切工序，与LED对应地裁切光转换体层，从而得到具备LED、和被覆LED的光转换体层的被覆有光转换体层的LED；以及LED剥离工序，在裁切工序之后，将被覆有光转换体层的LED从支撑片剥离。该方法的目的在于提供光转换体均匀配置在LED的周围、以防损伤地而得到被覆有光转换体层的LED、以及具备该被覆有光转换体层的LED的LED装置；但还存在以下明显不足：一是光转换体的荧光树脂组合物在固化过程中，因受热过应力影响，还是会导致光转换体面层的局部产生气泡而形成凹凸不平的瑕疵；二是采用剥膜、涂胶、贴合LED工艺，必然会受到热过应力影响，导致中LED使用中出现光效下降，造成良品率降低；三是整个封装工艺中的工序比较繁琐，封装LED的生产效率不高。

中国专利申请：201380027218.X公开了“树脂片材层合体及使用其的半导体发光元件的制造方法”，该方案所述树脂片材层合体是在基材上设置有含荧光体树脂层，所述含荧光体树脂层具有多个区块，基材具有长度方向和宽度方向，所述多个区块在长度方向上重复配置成列。虽然该方案的发明目的在于，通过所述树脂片材层合体，提高贴附有含荧光体树脂层的半导体发光元件的颜色和亮度的均匀性、制造的容易性、设计的自由度等，但还存在以下明显不足：一是采用的荧光体树脂片材为固化的荧光体树脂片材，将无法有效消除其中可能残留的气孔、凹凸不平或其它加工瑕疵等；二是在粘接工序中， 将加压工具自半导体发光元件侧向进行加压，会损伤半导体发光元件；三是采用荧光体树脂层中含粘接剂粘接工艺，很难清除被粘接后的半导体发光元件中的残留物，粘接过程极易产生气孔，会造成良品率降低，同时还因粘接层的存在而降低了LED元件的出光效率等。

综上所述，如何克服现有技术所存在的不足已成为当今于光转换体封装LED技术领域中亟待解决的重大难题之一。

发明内容

本发明的目的是为克服现有技术的不足而提供一种基于LED封装的有机硅树脂光转换体融膜的工艺方法及装备系统，本发明具有以有机硅树脂光转换体融膜替代剥膜的显著优点，能够满足有机硅树脂光转换体贴合封装LED的条件需要，从而提高工业化批量LED封装的生产效率和优品率。

根据本发明提出的一种基于LED封装的有机硅树脂光转换体融膜的工艺方法，其特征在于，它包括如下基本步骤：

步骤1，精制光转换膜片的滚压成型：在真空加热条件下，将外层保护膜片A、半固化光转换材料以及外层保护膜片B通过一组或多组光面滚压压合装置进行滚压，得到由外层保护膜片A、半固化光转换膜片和外层保护膜片B组成的精制光转换膜片；所述半固化光转换材料为半固化光转换膜或半固化光转换浆料；所述外层保护膜B的材质为含有光转换材料的可融性有机硅光敏树脂；

步骤2，光转换膜片阵列的滚压定形：在真空条件下，将所述带有外层保护膜的精制光转换膜片通过相向对准的带有凸块阵列的滚压装置1与带有凹槽阵列的滚压装置2进行加热滚压定形，得到由带凹槽的单块光转换膜片所组成的光转换膜片阵列；所述凹槽位于靠近外层保护膜片B的一侧；

步骤3，光转换膜片阵列的融膜：在真空光照条件下，对步骤2所述光转换膜片阵列的外层保护膜片B进行融膜，从而得到能够符合贴合封装LED的仅带外层保护膜片A的具有单面半固化状的光转换膜片阵列；其中：所述融膜是指将外层保护膜片B通过光辐射方式融合并与步骤1所述半固化光转换膜片合成一体。

上述本发明提出的一种基于LED封装的有机硅树脂光转换体融膜的工艺方法的装备系统，其特征在于：它包括用于精制光转换膜片的光面滚压压合装置、对精制光转换 膜片进行加热滚压定形的滚压定形装置、对滚压定形后的精制光转换膜片进行融膜的融膜装置；所述光面滚压压合装置、滚压定形装置、融膜装置依次设置，且构成协同联动的工序装备；其中：所述光面滚压压合装置包括一组或多组相向对准滚压的光面滚件A1与光面滚件B1；所述滚压定形装置包括相向对准滚压的带有凸块阵列的滚压装置1与带有凹槽阵列的滚压装置2。

本发明的实现原理是：为了更好地解决现有LED封装工艺中所存在的关键问题，本发明巧妙地设计了基于LED封装的有机硅树脂光转换体融膜的新工艺及装备系统。本发明的制膜、融膜和贴合封装原理在于：一方面是利用辊轮滚压使半固化有机硅树脂光转换膜片中的凹凸不平之处产生流动，消除半固化有机硅光转换膜片中可能残留的气孔、凹凸不平或其它加工瑕疵等，从而得到无气孔、平整以及厚度均匀的精制半固化机硅树脂光转换膜片；另一方面所述外层保护膜片B的材质采用含有光转换材料的可融性有机硅光敏树脂，能够通过光照方式有效地将外层保护膜片B与半固化光转换膜片融合并合成一体，形成含单侧保护膜片的半固化光转换膜片，使其与之后的LED滚压贴合工艺相配套，以便制得高质量的LED封装体元件；再一方面本发明为流程式连续工艺，有利于满足批量生产LED封装体元件的加工条件和保证规格尺寸完全一致，不仅提高了LED封装体元件的生产效率，同时提高了成品LED封装体元件的光色一致性，使优品率大幅提升。

本发明与现有技术相比其显著的优点在于：

一是本发明提出的一种基于LED封装的有机硅树脂光转换体融膜的新工艺及装备系统，它克服了现有流延工艺、丝网印刷工艺、上下平板模工艺和单辊摆压工艺等旧式工艺及设备所存在的贴合封装LED的生产效率和优品率明显不足的问题，因此本发明能够满足半固化有机硅树脂光转换体贴合封装LED的需要，从而提高了工业化批量LED封装的生产效率和优品率。

二是本发明提出了加热滚压定形的工艺，能够有效地消除半固化有机硅树脂光转换膜片中可能残留的气孔、凹凸不平以及其它加工瑕疵等，从而有利于提高后道工艺中的成品LED封装体元件的光色一致性，如运用本发明制得的LED封装体元件的优品率相比现有技术有明显提高。

三是本发明提出的有机硅树脂光转换体融膜的新工艺，外层保护膜片B的材质采用含有光转换材料的可融性有机硅光敏树脂，能够通过光照方式有效地将外层保护膜片B 与半固化光转换膜片融合并合成一体，形成含单侧保护膜片的半固化光转换膜片，使其与后道工艺中的LED阵列膜片进行滚压贴合，以便制得高质量的LED封装体元件，很好地解决了现有传统工艺中有机硅树脂光转换膜片剥膜的重大难题。

四是本发明提出的有机硅树脂光转换体融膜的新工艺的具体实施方案中，不仅革除了现有传统工艺中的粘结层，简化了工序，而且还适于配套流程式连续工艺的装备系统，更好地满足工业化批量封装LED的生产要求，从而显著提高工业化批量封装LED的生产效率。

五是本发明提出的工艺方法广泛适用于有机硅树脂光转换体与各种功率大小LED的贴合封装工艺，完全满足工业化批量封装LED过程中对产品生产工艺过程实施精细化加工的需求。

附图说明

图1为本发明提出的一种基于LED封装的有机硅树脂光转换体融膜的工艺方法的流程方框示意图。

图2为本发明提出的一种基于LED封装的有机硅树脂光转换体融膜的工艺方法及装备系统的流程布局结构示意图。

图3A为本发明提出的一种基于LED封装的有机硅树脂光转换体融膜的工艺方法及装备系统中制得精制光转换膜片的第一种实施例的工序示意图和用于精制光转换膜片滚压成型的光面滚压压合装置的结构示意图。

图3B为本发明提出的一种基于LED封装的有机硅树脂光转换体融膜的工艺方法及装备系统中制得精制光转换膜片的第二种实施例的工序示意图和用于精制光转换膜片滚压成型的光面滚压压合装置结构示意图。

图3C为本发明提出的一种基于LED封装的有机硅树脂光转换体融膜的工艺方法及装备系统中制得精制光转换膜片的第三种实施例的工序示意图和用于精制光转换膜片滚压成型的光面滚压压合装置的结构示意图。

图4A为本发明提出的一种基于LED封装的有机硅树脂光转换体融膜的工艺方法及装备系统中光转换膜片阵列的滚压定形的第一种实施例的工序示意图和滚压定形装置的结构示意图。

图4B为本发明提出的一种基于LED封装的有机硅树脂光转换体融膜的工艺方法及 装备系统中光转换膜片阵列的滚压定形的第二种实施例的工序示意图和滚压定形装置的结构示意图。

图5为本发明提出的一种基于LED封装的有机硅树脂光转换体融膜的工艺方法及装备系统中光转换膜片阵列的融膜的工序示意图和融膜装置结构示意图。

本发明附图中的编号说明如下：

1-1光面滚压压合装置中的光面单辊轮A1。

1-2光面滚压压合装置中的光面单辊轮B1。

1-3光面滚压压合装置中的光面单辊轮A2。

1-4光面滚压压合装置中的光面单辊轮B2。

1-5光面滚压压合装置中的缓冲辊轮1。

1-6光面滚压压合装置中的缓冲辊轮2。

2-1滚压定形装置中带凸块阵列的单辊轮1。

2-2滚压定形装置中带凹槽阵列的单辊轮2。

2-3滚压定形装置中带凹槽阵列的平面传送装置2。

2-4滚压定形装置中带凸块阵列的单辊轮1上的凸块。

2-5滚压定形装置中带凹槽阵列的单辊轮2上的凹槽。

2-6滚压定形装置中带凹槽阵列的平面传送装置2上的凹槽。

3融膜装置。

4收卷辊。

5-1半固化光转换膜。

5-2半固化光转换浆料。

5-3外层保护膜片A。

5-4外层保护膜片B。

5-5半固化光转换膜片。

5-6精制光转换膜片。

5-7融膜前由带凹槽的单块光转换膜片所组成的光转换膜片阵列中的单块光转换膜片。

5-8融膜后的带凹槽的单块光转换膜片所述组成的光转换膜片阵列中的单块光转换膜片。

6缓冲辊

具体实施方式

下面将结合附图和实施例对本发明的具体实施方式作进一步的详细说明。

实施例1：结合图1-2，本发明提出的一种基于LED封装的有机硅树脂光转换体融膜的工艺方法，它包括如下具体步骤：

步骤1，精制光转换膜片的滚压成型：在真空加热条件下，将外层保护膜片A、半固化光转换材料以及外层保护膜片B通过一组或多组光面滚压压合装置进行滚压，得到由外层保护膜片A、半固化光转换膜片和外层保护膜片B组成的精制光转换膜片；所述半固化光转换材料为半固化光转换膜或半固化光转换浆料；所述外层保护膜片B的材质为含有光转换材料的可融性有机硅光敏树脂；

步骤2，光转换膜片阵列的滚压定形：在真空条件下，将所述带有外层保护膜的精制光转换膜片通过相向对准的带有凸块阵列的滚压装置1与带有凹槽阵列的滚压装置2进行加热滚压定形，得到由带凹槽的单块光转换膜片所组成的光转换膜片阵列；所述凹槽位于靠近外层保护膜片B的一侧；

步骤3，光转换膜片阵列的融膜：在真空光照条件下，对步骤2所述光转换膜片阵列的外层保护膜B进行融膜，从而得到能够符合贴合封装LED的仅带外层保护膜片A的具有单面半固化状的光转换膜片阵列；其中：所述融膜是指将外层保护膜片B通过光辐射方式融合并与步骤1所述半固化光转换膜片合成一体。参见图5所示，图5示出步骤3中融膜前由带凹槽的单块光转换膜片(5-7)所组成的光转换膜片阵列通过融膜装置3，光转换膜片阵列的外层保护膜片B(5-4)被光辐射照射，与半固化光转换膜片合成一体，得到由融膜后带凹槽的单块光转换膜片(5-8)所组成的光转换膜片阵列。

特别需要说明的是：

本发明适用于对与LED倒装芯片结构类同的光电器件或电子器件的生产加工。

本发明提出的一种基于LED封装的有机硅树脂光转换体融膜的工艺方法的进一步优选方案是：

步骤1所述精制光转换膜片的滚压成型，是指将外层保护膜片A、半固化光转换材料以及外层保护膜片B通过一组或多组光面滚压压合装置进行滚压，即依次通过一组或者多组相向对准的光面双辊滚压压合装置或/和光面单辊轮与光面平面传送装置组合而成 的光面滚压压合装置进行滚压，从而得到精制光转换膜片。所述半固化光转换材料为半固化光转换膜或半固化光转换浆料。参见图3A、3B和3C所示，其中：图3A示出步骤1中外层保护膜片A(5-3)、半固化光转换膜(5-1)以及外层保护膜片B(5-4)通过一组光面滚压压合装置(1-1和1-2)进行滚压，得到精制光转换膜片(5-6)；图3B示出步骤1中外层保护膜片A(5-3)、半固化光转换浆料(5-2)以及外层保护膜片B(5-4)通过一组光面滚压压合装置(1-1和1-2)进行滚压，得到精制光转换膜片(5-6)；图3C示出步骤1中外层保护膜片A(5-3)、半固化光转换浆料(5-2)以及外层保护膜片B(5-4)通过两组光面滚压压合装置(1-1、1-2、1-3和1-4)进行滚压，得到精制光转换膜片(5-6)。

步骤1所述精制光转换膜片的滚压成型的温度为50～120℃；最佳滚压成型的温度为80～100。

步骤1所述精制光转换膜片的厚度为800μm以内；最佳精制光转换膜片的厚度为150～250μm。

步骤1所述半固化光转换膜片的材料为半固化的有机硅树脂荧光粉膜片或半固化的有机硅树脂量子点荧光体膜片。

步骤1所述外层保护膜A的材质为聚酯、聚烯烃或聚醚。

步骤1所述外层保护膜片B中的光转换材料与步骤1所述半固化光转换膜片中的光转换材料的材质和含量相同；所述外层保护膜片B的材质中还包括粘接剂。

步骤2所述带有凸块阵列的滚压装置1为带有凸块阵列的单辊轮1或带有凸块阵列的平面传送装置1；所述带有凹槽阵列的滚压装置2为带凹槽阵列的单辊轮2或带凹槽阵列的平面传送装置2；所述滚压装置1与滚压装置2中至少一个为单辊轮。参见图4A和4B所示，其中：附图4A示出步骤2中带有外层保护膜片A(5-3)和外层保护膜片B(5-4)的精制光转换膜片(5-6)通过相向对准的带凸块阵列的单辊轮1(2-1)和带凹槽阵列的单辊轮2(2-2)进行加热滚压定形，得到由带凹槽的单块光转换膜片(5-7)所组成的光转换膜片阵列；图4B示出步骤2中带有外层保护膜片A(5-3)和外层保护膜片B(5-4)的精制光转换膜片(5-6)通过相向对准的带凸块阵列的单辊轮1(2-1)和带凹槽阵列的平面传送装置2(2-3)进行加热滚压定形，得到由带凹槽的单块光转换膜片(5-7)所组成的光转换膜片阵列。

步骤2所述带凹槽的单块光转换膜片的外形形状为弧形、半圆球形或矩形。

步骤2所述带凹槽的单块光转换膜片中，凹槽的长、宽、高尺寸为LED倒装芯片长、 宽、高尺寸的1.01～1.05倍；最佳的凹槽的长、宽、高尺寸为LED倒装芯片长、宽、高尺寸的1.02倍。

步骤2所述光转换膜片阵列的滚压定形的温度为50～120℃；最佳滚压定形的温度为80～100℃。

上述本发明提出的一种基于LED封装的有机硅树脂光转换体融膜的工艺方法的装备系统，结合图2，它包括用于精制光转换膜片的光面滚压压合装置、对精制光转换膜片进行加热滚压定形的滚压定形装置、对滚压定形后的精制光转换膜片进行融膜的融膜装置；所述光面滚压压合装置、滚压定形装置、融膜装置依次设置，且构成协同联动的工序装备；其中：所述光面滚压压合装置包括一组或多组相向对准滚压的光面滚件A1与光面滚件B1；所述滚压定形装置包括相向对准滚压的带有凸块阵列的滚压装置1与带有凹槽阵列的滚压装置2。

本发明提出的一种异形有机硅树脂光转换体贴合封装LED的装备系统所涉及的各工序的装置、设备或部件等均可参照本发明具体实施方式的要求在现有精密机械制造领域中择优选用。

本发明提出的一种基于LED封装的有机硅树脂光转换体融膜的工艺方法的装备系统的进一步优选方案是：

所述光面滚压压合装置中的光面滚件A1为光面单辊轮A1或光面平面传送装置A1，所述光面滚件B1为光面单辊轮B1或光面平面传送装置B1；所述光面滚件A1与光面辊件B1中至少一个为单辊轮。参见图3A、3B和3C所示，其中：图3A示出光面滚压压合装置包括相向对准滚压的光面单辊轮A1(1-1)和光面单辊轮B1(1-2)；图3B示出滚压压合装置包括相向对准滚压的光面单辊轮A1(1-1)和光面单辊轮B1(1-2)；图3C示出光面滚压压合装置包括相向对准滚压的光面单辊轮A1(1-1)和光面单辊轮B1(1-2)以及相向对准滚压的光面单辊轮A2(1-3)和光面单辊轮B2(1-4)；外层保护膜片A(8-3)、半固化光转换膜(5-1)或半固化光转换浆料(5-2)以及外层保护膜片B(5-4)通过一组或多组光面滚压压合装置进行滚压，得到精制光转换膜片(5-6)。

所述带有凸块阵列的滚压装置1为带有凸块阵列的单辊轮1或带有凸块阵列的平面传送装置1；所述带有凹槽阵列的滚压装置2为带凹槽阵列的单辊轮2或带凹槽阵列的平面传送装置2；所述带有凸块阵列的滚压装置1与带有凹槽阵列的滚压装置2中至少一个为单辊轮。参见图4A和图4B所示，其中：图4A示出滚压定形装置包括相向对准 的带凸块阵列的单辊轮1(2-1)和带凹槽阵列的单辊轮2(2-2)；图4B示出滚压定形装置包括相向对准的带凸块阵列的单辊轮1(2-1)和带凹槽阵列的平面传送装置2(2-3)；带有外层保护膜片A(5-3)和外层保护膜片B(5-4)的精制光转换膜片(5-6)通过滚压定形装置进行加热滚压定形，得到由带凹槽的单块光转换膜片(5-7)所组成的光转换膜片阵列。

所述融膜装置为至少包括辐射光源和平面传送装置的光辐射装置。参见附图5所示，图5示出融膜前由带凹槽的单块光转换膜片(5-7)所组成的光转换膜片阵列通过融膜装置3，光转换膜片阵列的外层保护膜片B(5-4)被光辐射照射，与半固化光转换膜片合成一体，得到由融膜后带凹槽的单块光转换膜片(5-8)所组成的光转换膜片阵列。

所述光面滚压压合装置设有调节的光面滚件A与光面辊件B之间间距的位移调节装置；滚压定形装置设有调节滚压装置1与滚压装置2之间间距的位移调节装置。

所述光面滚压压合装置的光面滚件A1与光面辊件B1中凡为单辊轮的，其辊径向跳动距离≤2μm；所述滚压定形装置的带有凸块阵列的滚压装置1与带有凹槽阵列的滚压装置2中凡为单辊轮的，其辊径向跳动距离≤2μm。

所述滚压定形装置中带有凸块阵列的滚压装置1中凸块阵列的凸块的形状为矩形，且其长、宽、高尺寸为LED倒装芯片长、宽、高尺寸的1.01～1.05倍；最佳的凸块的长、宽、高尺寸为LED倒装芯片长、宽、高尺寸的1.02倍；所述带有凹槽阵列的滚压装置2中凹槽阵列的凹槽形状为弧形、半圆球形或矩形。

本发明所述装备系统的光面滚压压合装置、滚压定形装置和融膜装置依次协同联动，构成流程式的连续工序装备。

本发明的具体实施方式中凡未涉到的说明属于本领域的公知技术，可参考公知技术加以实施。

本发明经反复试验验证，取得了满意的试用效果。

以上具体实施方式及实施例是对本发明提出的一种基于LED封装的有机硅树脂光转换体融膜的工艺方法及装备系统技术思想的具体支持，不能以此限定本发明的保护范围，凡是按照本发明提出的技术思想，在本技术方案基础上所做的任何等同变化或等效的改动，均仍属于本发明技术方案保护的范围。