法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-01-16
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L51/52 申请日:20161114
实质审查的生效
2017-02-22
公开
公开
机译: 具有不均匀量子点的半导体多层结构,发光二极管,半导体激光二极管和半导体光放大器,以及使用它们的制备方法
机译: 具有不均匀量子点的半导体多层结构,使用该半导体层的发光二极管,半导体激光二极管,半导体光放大器及其制造方法
机译: 具有使用其的非均匀量子点发光二极管的半导体多层结构及其制造工艺半导体光放大器和半导体激光二极管