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基于沟道隐埋层的电流可控型静电感应晶体管

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摘要

本发明涉及一种基于沟道隐埋层的电流可控型静电感应晶体管(SIT),包括漏极、位于漏极之上的低阻单晶衬底、位于低阻单晶衬底之上的高阻外延层、位于高阻外延层内沟道下方的隐埋层和位于高阻外延层内相互并联的多个SIT单元，其特征在于隐埋层位于沟道下方0.3～0.7um，掺杂浓度为5×10

1. 基于沟道隐埋层的电流可控型静电感应晶体管 [P] . 中国专利： CN106449745A . 2017-02-22
2. 一种具有P型埋层的双沟道高耐压氮化镓场效应晶体管 [P] . 中国专利： CN110828565A . 2020-02-21
3. N-channel double diffusion MOS transistor with p-type buried layer underneath n-type drift and drain layers, and semiconductor composite device [P] . 美国专利： US9812565B2 . 2017-11-07

机译：在n型漂移层和漏极层下面具有p型掩埋层的n沟道双扩散MOS晶体管以及半导体复合器件
4. N-channel double diffusion MOS transistor with P-type buried layer under N-type drift layer, and semiconductor composite device [P] . 美国专利： US9190513B2 . 2015-11-17

机译：在n型漂移层下面具有p型埋层的n沟道双扩散MOS晶体管及半导体复合器件
5. Combination metal oxide semi-conductor field effect transistor (MOSFET) and junction field effect transistor (JFET) operable for modulating current voltage response or mitigating electromagnetic or radiation interference effects by altering current flow through the MOSFETs semi-conductive channel region (SCR) [P] . 美国专利： US9595519B2 . 2017-03-14

机译：金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和结型场效应晶体管（JFET）的组合，可用于通过改变流经MOSFET半导体沟道区（SCR）的电流来调制电流电压响应或减轻电磁或辐射干扰效应