法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-03-15
实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/30 申请日:20160912
实质审查的生效
2017-02-15
公开
公开
机译: 制造异质结鳍片结构的方法,具有异质结鳍片结构的半导体器件,基于异质结鳍片结构的制造Fin-HFET的方法以及基于异质结鳍片结构的fin-HFET
机译: 基于分配地址分配的树状结构网络的网络节点的操作方法,一种网络的形成方法以及一种包括能够降低基于分布地址的树状结构网络的地址浪费的网络节点的系统
机译: 基于Galnassb固溶体的异质结构,产生该异质结构的方法以及基于该异质结构的发光二极管