隔离结构上具有抗蚀保护氧化物的半导体结构及其制造方法

摘要

一种半导体结构包括：隔离结构、栅极堆叠件、间隔件、和图案化的抗蚀保护氧化物。隔离结构形成在半导体衬底中并且使半导体衬底的器件区域电隔离。栅极结构位于隔离结构上。间隔件形成为沿着隔离结构上的栅极堆叠件的侧壁。图案化的抗蚀保护氧化物位于隔离结构上方并且覆盖间隔件的侧壁，使得间隔件介于图案化的抗蚀保护氧化物和栅极堆叠件之间。本发明还提供了隔离结构上具有抗蚀保护氧化物的半导体结构及其制造方法。