多元素合金薄膜电阻及制备方法和多元素靶材

摘要

本发明涉及一种多元素合金薄膜电阻及制备方法和多元素靶材，其中制备方法包括以下步骤：制备含有镍、铬、锰和硅的多元素靶材，并固定在靶台上；将已制备光刻胶的基材固定在旋转工件台上；抽真空使真空度不大于5×10‑4Pa；将工作压强为2.0×10‑2Pa的氩气充入离子源，经辉光放电产生等离子体，经引出、成束、加速、中和形成氩离子束轰击靶台上的多元素靶材，溅射粒子沉积在基材表面形成多元素合金薄膜；去除剩余的光刻胶，得到多元素合金薄膜电阻。本发明采用含有镍、铬、锰和硅的多元素靶材，通过离子束溅射沉积工艺制得的薄膜电阻阻值可达200～700KΩ，同时使得电阻温度系数降至5ppm，并降低了薄膜电阻的生产成本。