法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-01-10
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/225 申请公布日:20161221 申请日:20160608
发明专利申请公布后的视为撤回
2017-01-18
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/225 申请日:20160608
实质审查的生效
2016-12-21
公开
公开
机译: 在等离子体蚀刻和等离子体清洁步骤之后处理低k碳掺杂的氧化硅介电材料的受损表面的方法
机译: 半导体器件汽车交流发电机的一部分,具有P掺杂层和N掺杂层,其中填充了P掺杂的多晶硅,并且在基底区域中和/或P掺杂层之间的N掺杂部分提供了蚀刻沟槽。
机译: 一种在高密度等离子体蚀刻设备中选择性地蚀刻未掺杂的二氧化硅的掺杂二氧化硅的方法