等离子体蚀刻在提高传感器芯片强度方面的研究

摘要

本文针对公司汽车传感器产品中超薄芯片(小于100微米)在贴片DB(“Die Bonding”,以下简称DB)工序中存在的断裂问题。通过测试晶圆磨削面的损伤层,发现不同颗粒的磨轮磨出的晶圆损伤层有显著的差异。因而将晶圆减薄的磨轮颗粒从2~6um(SD3000的磨轮)优化到1~3um(SD6000的磨轮),芯片断裂的比率有明显改善但仍然存在断裂的情况。为了进一步的减少损伤层,最初采用氩气电离产生的Ar+轰击去除研磨表面的损伤层,结果对芯片强度的改善亦不明显,分析是由于Ar+轰击产生了新的损伤层;进一步实验了CF4电离产生F-的等离子体化学蚀刻移除损伤层,通过TEM的测试显示芯片损伤层得到明显的减薄,压力测试计显示抗折强度提高到原来的3倍,最终解决了芯片断裂问题。